高品質SiC結晶の溶液成長法の実現には、溶媒であるSi系合金の熱物性値を用いた高精度な熱流動予測とともに、育成結晶の品質への影響因子を明らかにする必要がある。そこで、一般的な溶媒であるSi-CrおよびSi-Fe合金の熱伝導率をはじめとする種々の物性値を整備し、溶融Siと比べ合金の熱伝導率は大幅に小さいことなどを明らかにした。SiおよびSi-Cr合金を用いてSiCを育成すると、合金の場合にのみ沿面成長が維持された。熱流動予測の結果を考慮すると、合金化により成長界面前方での温度勾配が増大して組成的過冷の発生領域が縮小し、沿面成長を維持できたと推測された。
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