| 研究課題/領域番号 |
17H06124
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 京都大学 |
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研究代表者 |
田中 耕一郎 京都大学, 理学研究科, 教授 (90212034)
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| 研究分担者 |
柳 和宏 東京都立大学, 理学研究科, 教授 (30415757)
片山 郁文 横浜国立大学, 大学院工学研究院, 教授 (80432532)
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| 研究期間 (年度) |
2017-05-31 – 2022-03-31
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| キーワード | テラヘルツ光科学 / 非線形光学 / 高強度場物理学 / 高次高調波発生 / 単層半導体 |
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| 研究成果の概要 |
赤外域からテラヘルツ領域の非線形フォトエレクトロニクスの材料として期待される低次元の電子系を有する単層半導体、グラフェン、カーボンナノチューブに対して、赤外域からテラヘルツ帯における極端非線形光学効果およびその発現機構を明らかにした。特に、照射光の整数倍の光子エネルギーの光が発生する高次高調波発生に着目し、様々な物質に適用可能な物理メカニズムの解明をおこなった。
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| 自由記述の分野 |
テラヘルツ光科学、光物性、極端非線形光学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
単一原子層薄膜における高次高調波発生で世界をリードする研究成果をあげた。特に、物質を変えたときにどのように高次高調波スペクトルが変化するのかを明らかにすることで、固体における高次高調波発生のメカニズムを物性的観点で明らかにした成果は学術的に重要である。また、デバイス構造を用いてキャリア注入を行なったときに１桁以上の発生効率の変化を見出した結果は、赤外からテラヘルツ領域の非線形光学効果をエレクトロニクス技術で制御した初めての例であり、今後の非線形光学デバイスへの指針を与える重要な結果である。
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