ｌａｙｅｒ ｔｒａｎｓｆｅｒによる高移動度材料３次元集積CMOSの精密構造制御

2017 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 17H06148
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 高木 信一 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30372402)
• 研究分担者: 前田 辰郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹 (40357984) ; 入沢 寿史 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (40759940)
• 研究期間 (年度): 2017-05-31 – 2022-03-31