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2017 年度 審査結果の所見
layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御
研究課題
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研究課題/領域番号
17H06148
研究種目
基盤研究(S)
配分区分
補助金
研究分野
電子・電気材料工学
研究機関
東京大学
研究代表者
高木 信一
東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (30372402)
研究分担者
前田 辰郎
国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 研究主幹 (40357984)
入沢 寿史
国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (40759940)
研究期間 (年度)
2017-05-31 – 2022-03-31