| 研究実績の概要 |
(1) layer transferによるチャネル形成技術・・・酸化濃縮により形成したひずみGOI構造を細線に加工し、細線方向に沿ったひずみの緩和を利用することで、一軸性圧縮ひずみGOIチャネルを形成して、極めて高い正孔移動度を持つ(100)GOI pMOSFETの実現に成功した。また、Ge/AlAs/GaAs(111)基板に対してEpitaxial Lift-off法を適用することにより、Si基板上に、平坦性の高い(111)GOIチャネルを形成することに成功した。加えて、ヨウ化水素(HI)プラズマを用いたGOIチャネルの極薄膜化プロセスを実現した。更に、極薄チャネルnMOSFETにおける表面ラスネス散乱の新しい物理モデルを構築して、2-3nm膜厚のチャネルにおいても、(111)InAs-OI, (111)GOI, (100)GOIが優れた電子移動度を実現できることを理論的に明らかにした。
(2) 低温SD形成と3次元CMOSコテクティビティ技術・・・ベンゾシクロブテン(BCB)を介したCMOS用の積層チャネル構造において、BCBは各種化学的処理を施すELOプロセスに耐性があり、2層目の素子作製プロセス後も劣化しないことを明らかにした。また、積層CMOS構造実現のための(111)InAs/圧縮ひずみGOI積層貼り合わせ構造の実現に成功した。
(3) 高品質MOS界面形成技術・・・In(Ga)As MOSFETにquasi-split C-V法を適用して、MOS界面のバンド内界面準位密度のエネルギー分布と界面でのフェルミレベルのピンニング位置を明らかにし、その物理的解釈と共に、InAs MOS界面が最も多くの電子を反転層中に形成できることを示した。
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