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前年確立した、カルボン酸からの橋頭位ラジカルの直接的な発生法を応用した、プベルリンCの全合成に向け、ラジカル発生源としてC11位橋頭位にカルボン酸を有するカルボン酸の合成を試みた。しかし、種々検討の結果、天然物に対応する高酸化度カルボン酸を合成することはできなかった。すなわち、骨格構築に必要な炭素鎖を導入した後、C11位をカルボン酸に変換することが困難であった。この結果を受け、ラジカル前駆体としてカルボン酸を利用することを断念し、臭素原子を有する基質を用いることとした。
まず、AE環の橋頭位であるC11位への臭素原子の導入を検討した。従来のAE環ユニットは橋頭位にメチルエステルを有しているため、まず、炭素鎖の導入に先立ち、対応するカルボン酸へ導いた。得られたカルボン酸に対して、脱炭酸を伴う臭素化を行った。その結果、臭素原子の導入は可能だったものの、本手法では工程数を要し、かつ、所望の生成物は低収率で得られるのみだった。そこで、臭素原子の導入を合成序盤に行ったところ、橋頭位に臭素原子を有するAE環ユニットの迅速かつ良好な収率での合成法を確立できた。このAE環ユニットに対し、C環を含む炭素ユニットを順次導入することで、天然物に対応する酸化度を有する3環性のラジカル前駆体であるブロミドを合成した。得られたブロミドをラジカル反応条件に付すことで、タンデムラジカル環化を実現した。これにより、プベルリンCに含まれる5環性骨格を有し、D環構築に必要な官能基を有する重要中間体の合成に成功した。
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