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ビチオフェンをSiやGeで架橋した、DTS・DTGと呼ばれるπ電子系ユニットは、有機電子デバイス材料の基礎骨格として有用である。架橋元素上の置換基には、これまでアルキル基や単純なアリール基が導入されてきたが、本研究では、DTGの架橋元素であるGe上に比較的大きなπ電子系置換基を導入することで、DTG骨格とπ電子系置換基との間でエネルギー移動が起こることを明らかにした。また、DTG骨格とπ電子系置換基のエネルギー準位を適切に選択することで、エネルギー移動の方向をコントロールしたり、分子内電子移動が起こることを明らかにした。
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