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高効率を誇るナノワイヤ太陽電池を安価なガラス基板上で実現する基盤技術の創出を目的として研究を開始した。これを実現するためには、ナノワイヤ成長の起点となる結晶薄膜をガラス基板上で実現し、その薄膜からガラス基板の軟化温度以下の低温で縦型ナノワイヤ成長を成長する必要がある。
採択者は、金属誘起層交換成長法という金属触媒を用いた半導体薄膜成長法を発展させ、ナノワイヤ成長のテンプレート層に適した半導体薄膜成長法を実現した。また、ハンダなどに使われる金属の共晶反応をナノワイヤ成長に応用することで、ガラス基板対応の低温プロセスでのナノワイヤ成長を実現した。
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