| 研究課題/領域番号 |
17K05046
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 鈴鹿工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
横山 春喜 鈴鹿工業高等専門学校, その他部局等, 教授 (20583701)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | GaAsSb / ドーピング / Si / p型 / アクセプタ準位 / 移動度 / 拡散 |
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| 研究成果の概要 |
p型GaAsSbはIII-V族化合物半導体デバイスの性能を向上するすることができる材料として期待されている。この研究では、Siドープp型GaAsSbの移動度とキャリア濃度の温度依存性について調査した。移動度の温度変化の実験値と理論計算の比較から、p型GaAsSbの移動度が合金散乱の影響を強く受けることが分かった。また、キャリア濃度の温度依存性の評価から、p型GaAsSbのSiアクセプタ準位が約0.027eVであることが分かった。さらに、SiドープGaAsSbの熱的安定性の評価を行い、結晶中のSiは500℃まで安定であることを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
結晶工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
デバイスを設計するためには、ドーパントがどのようなエネルギー準位を結晶中で形成し、導電性に寄与しているかについて解明することが重要である。本研究では、GaAsSbにドーピングしたSi がどのようなアクセプタ準位を形成するかについて明らかにした。また、ドーピング技術において、設計通りのドーピングを実現すること、つまり、p 型のキャリア濃度がプロセス時の熱等で変動せず、デバイス層を形成した時に拡散のない急峻なドーピングプロファイルを形成できることが要求される。そこで、熱処理を行った時のSiの挙動について調べ、SiドープGaAsSbの熱的安定性を評価した。
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