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2018 年度 実施状況報告書

グラフェンの欠陥エンジニアリングと新機能探索

研究課題

研究課題/領域番号 17K05053
研究機関東京工業大学

研究代表者

藤本 義隆  東京工業大学, 理学院, 研究員 (70436244)

研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2020-03-31
キーワードグラフェン / ドーピング / 環境汚染物質 / 第一原理計算
研究実績の概要

本研究では、グラフェンの新しい機能の発現やそれらを利用した次世代電子デバイス材料としての応用への可能性に関して調べている。本年度においては、ドープされたグラフェンへの環境汚染型ガスの吸着性と、それに対応した電子の輸送特性に関する研究を行った。すでに、前年度において窒素やホウ素ドープグラフェン上のガス吸着性に関する研究を行ない、ホウ素ドープグラフェンでは、大気雰囲気中で一酸化窒素分子や二酸化窒素分子が強く吸着することを報告した。本年度では、これら毒性の高いガス分子の吸着と電子の輸送特性との対応関係性を明らかにし、グラフェン型センサーに応用できる可能性を示唆する結果を得た。一酸化窒素分子が吸着した場合と二酸化窒素分子が吸着した場合では、グラフェンの電気伝導度の変化率が、大きく異なることが分かった。そのため、吸着分子の種類の違いに対応して伝導度の変化率が異なることから、一酸化窒素分子と二酸化窒素分子といった分子の種類を、分子のレベルで識別可能であることが期待される。以上の結果から、ホウ素ドープ型グラフェンは、電界効果型トランジスタなどの電子デバイスに用いられることで、環境汚染型ガスである窒素酸化物分子だけを、大気雰囲気中で選択的に検出可能な電子デバイス材料であることが期待される。なお、本研究結果は、学術雑誌論文として出版され(Jpn. J. Appl. Phys. 58, 015005 (2019))、応用物理学会英文論文誌(JJAP)のSpotlight paperに選ばれている。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

本年度では、グラフェンへの環境汚染型ガス分子の吸着と電気伝導性との対応関係を調べた。その結果、ホウ素ドープされたグラフェンを、電界効果型トランジスタなどの電子デバイスに用いて、その電気伝導度を調べる事で、大気中の環境汚染物質である窒素酸化物ガスを選択的に検出できる可能性があることを明らかにした。このように、ドーピングによるグラフェンの機能化とその性質を利用した電子デバイス応用に関する具体例を提示できた。そのため、当初の計画以上に進展しているものと考えられる。

今後の研究の推進方策

今後の方針として、グラフェンへのドーピングによる欠陥構造と安定性や電子物性との関連性を明らかにし、電子デバイス応用への可能性を調べる。

次年度使用額が生じた理由

国際会議発表の招聘での参加費等の減額により、本年度に予定していた成果報告に関する支出を抑えることができたため。
今後の使用計画として、研究成果を公表するための会議参加費等に割り当てる。

  • 研究成果

    (16件)

すべて 2019 2018

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (13件) (うち国際学会 6件、 招待講演 3件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] STM visualization of carbon impurities in sandwich strucutres consisting of hexagonal boron nitride and graphene2019

    • 著者名/発表者名
      T. Haga, Y. Fujimoto and S. Saito
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 ページ: SIIB03_1-4

    • DOI

      https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab0ff8

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Gas adsorption effects on stabilities, electronic structures and scanning tunneling microscopy images of monolayer graphene doped with B or N2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Fujimoto and Susumu Saito
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 ページ: 015005_1-8

    • DOI

      10.7567/1347-4065/aaf227

    • 査読あり
  • [学会発表] First-principles theoretical design of carbon materials for detecting environmentally polluting and toxic gases2019

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto
    • 学会等名
      International Conference on Innovative Applied Energy
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Modulation doping in hexagonal BN atomic-layer semiconductor2019

    • 著者名/発表者名
      S. Saito, Y. Matsuura, and Y. Fujimoto
    • 学会等名
      APS March Meeting 2019
    • 国際学会
  • [学会発表] 半導体中の不純物状態の新たな定量的予測方法2019

    • 著者名/発表者名
      斎藤晋、藤本義隆、山下 寛樹、芳賀太史
    • 学会等名
      日本物理学会第74回年次大会
  • [学会発表] STM images of graphene/C-doped h-BN heterostructures from first-principles electronic-structure calculations2019

    • 著者名/発表者名
      芳賀太史、藤本義隆、斎藤晋
    • 学会等名
      第56回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
  • [学会発表] 第一原理電子構造研究による立方晶窒化ホウ素とダイヤモンドの不純物状態の予測2019

    • 著者名/発表者名
      山下 寛樹、芳賀太史、藤本義隆、斎藤晋
    • 学会等名
      第66回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] First-Principles Electronic-Structure Study of Doped Graphene, Doped hexagonal Boron Nitride Layers, and their Heterostructures2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto, Y. Matsuura, T. Haga, and S. Saito
    • 学会等名
      9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Effects of carbon impurity-induced states in h-BN substrate on the electronic properties of graphene2018

    • 著者名/発表者名
      T. Haga, Y. Fujimoto, and S. Saito
    • 学会等名
      9th A3 Symposium on Emerging Materials: Nanomaterials for Electronics, Energy and Environment
    • 国際学会
  • [学会発表] STM visualization of carbon impurities in h-BN substrate by graphene2018

    • 著者名/発表者名
      T. Haga, Y. Fujimoto, and S. Saito
    • 学会等名
      14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles theory of graphene-based sensor devices for detecting toxic gas2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Fujimoto
    • 学会等名
      The First International Symposium on Quantum Science & Technology
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 第一原理電子構造研究による立方晶窒化ホウ素とダイヤモンドの不純物状態の解明2018

    • 著者名/発表者名
      山下 寛樹、芳賀太史、藤本義隆、斎藤晋
    • 学会等名
      第32回ダイヤモンドシンポジウム
  • [学会発表] 不純物ドープグラフェンへの分子吸着と電子伝導2018

    • 著者名/発表者名
      藤本義隆、斎藤晋
    • 学会等名
      日本物理学会2018年秋季大会
  • [学会発表] 炭素がドープされた三層系h-BN の電子状態2018

    • 著者名/発表者名
      松浦雄斗、藤本義隆、斎藤晋
    • 学会等名
      日本物理学会2018年秋季大会
  • [学会発表] ドナーとアクセプターが共存する複数ドープBN膜の電子物性2018

    • 著者名/発表者名
      芳賀太史、藤本義隆、斎藤晋
    • 学会等名
      日本物理学会2018年秋季大会
  • [図書] Nanotechnology for Sustainable Water Remediation2018

    • 著者名/発表者名
      Yoshitaka Fujimoto
    • 総ページ数
      pp.277-300
    • 出版者
      Wiley-Scrivener Publishers

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公開日: 2019-12-27  

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