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最先端材料の多くは，その電気的特性（電気伝導度や誘電率）の測定に必要な電極の作成が困難である．これに対し，テラヘルツ・エリプソメトリーは電極を必要とせず非接触・非破壊で電気特性を測定できる．異方性材料評価へのテラヘルツ・エリプソメトリーの活用が期待されるが，テラヘルツ波経路を高精度に可視化する方法がないことから，異方性材料測定で必須となる正確な入射面方向の決定ができていなかった．
本研究で開発した，テラヘルツ波反射測定の入射面方向および入射角決定方法により，今後の進展が期待される単斜晶系ワイドギャップ半導体，メタマテリアル等の新規材料の電気的特性及び誘電特性の異方性を非接触で高精度に評価できる．
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