| 研究課題/領域番号 |
17K05111
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| 研究機関 | 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 |
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研究代表者 |
牧野 高紘 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子応用研究所 先端機能材料研究部, 主任研究員(定常) (80549668)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | シングルイベント |
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| 研究実績の概要 |
炭化ケイ素(SiC)製-金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)にイオンが入射することで誘起される破壊現象解明のため、SiC-MOSFET内に入射するイオンが誘起する電荷の挙動解明を目的としている。本年は、イオン誘起電荷量のデバイス構造依存性の観測結果の解析を行い、デバイス破壊に支配的なパラメータの推定を行った。これまでの測定結果より、イオンのLET(Linear Energy Transfer)と、デバイス構造が支配的であると考えられる結果が得られた。
以上の結果をもとに、デバイスシミュレーションの解析を始めた。シミュレーションにあたり、シミュレーションモデルの最適化をはかり、次年度の数値解析による「デバイス破壊に寄与するイオン誘起電荷の挙動解明」の基盤を構築した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
追加する必要のある実験データは多少あるが、シミュレーションの環境基盤構築が完了するなど、概ね計画に対して順調に進んでいる。
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| 今後の研究の推進方策 |
シミュレーションによる実験結果の物理的解釈を進め、必要に応じて追加実験を行う。
次年度は、国際会議での発表等に使用する。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
実験サンプルの納期が、2019年度にずれ込んだため次年度使用額が生じた。
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