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炭化ケイ素(SiC)製-金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)にイオンが入射することで誘起される破壊現象解明のため、SiC-MOSFET内に入射するイオンが誘起する電荷の挙動解明を目的としている。これまで、イオン誘起電荷量のデバイス構造依存性の観測結果の解析を行い、デバイス破壊に支配的なパラメータの推定を行った。これまでの測定結果より、イオンのLET(Linear Energy Transfer)と、デバイス構造が支配的であると考えられる結果が得られていた。
破壊されたデバイスの破壊痕の断面観察を行い、構造依存性について、より詳細に観察・解析した。その結果、破壊痕にも明らかな構造依存性が確認された。これらは、破壊プロセスの構造依存性を明らかに示しており、今後の研究指針を得ることができたといえる。
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