研究課題
基盤研究(C)
スピン偏極陽電子消滅実験手法の適用対象であるII-VIおよびIII-Vワイドギャップ半導体中陽イオン空孔において、欠陥レベルの既約表現を明らかにし、空孔の対称性とスピン分極の関係を明らかにした。また、強磁性金属において多数スピンおよび少数スピンに対する運動量密度の違いが、電子系の多体効果を反映したものであることを示唆した。スピン軌道相互作用の影響が運動量密度に有意の差を与えることを明らかにした。
物性科学
物質のスピン分極を観測することのできる新しい研究手法であるスピン偏極陽電子消滅実験手法の可能性を、第一原理計算の実行により明らかにした。ワイドギャップ半導体中陽イオン空孔のスピン分極のメカニズムを明らかにした。また、強磁性金属における多数スピンおよび少数スピンに対する運動量密度を観測することで、電子の多体効果について有益な情報を得ることができることを示した。