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2020 年度 実績報告書

混晶半導体基礎物性研究の新展開

研究課題

研究課題/領域番号 17K05498
研究機関和歌山大学

研究代表者

篠塚 雄三  和歌山大学, 学内共同利用施設等, 名誉教授 (30144918)

研究分担者 秋元 郁子  和歌山大学, システム工学部, 准教授 (00314055)
研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2021-03-31
キーワード化合物半導体 / 混晶 / バンド構造制御 / 電子状態の理論 / キャリア / 有効質量 / サイクロトロン共鳴
研究実績の概要

理論面では、本研究の基礎となっているIQB理論を拡張させること、および新規混晶系(II-VI)1-x(III-V)xを含む種々の混晶半導体の電子状態の計算に取り組んだ。IQB理論の欠点である不可避的に出現するバンドギャップについて、その適否や局在状態の真偽を判定する条件(課題1)を求めることに、種々の角度から検討を行なったが、定性的に満足できる枠組みを得るまでには至らなかった。今後も引き続き取り組む予定である。
実験面では、伝導パラメータを高分解能で取得することを目的とし、X-band(9.6 GHz)とQ-band(34 GHz)のマイクロ波により、まずは高純度シリコン結晶で高温側までキャリア散乱時間を導出できることを確認した。次いで、混晶結晶系に拡張するため、起点となる化合物半導体において実験を実施した。市販の高純度GaAs結晶においては、励起波長を吸収端に制限し強度を十分弱めることで、キャリア密度が高い状態に表れるマグネトプラズマ共鳴-マグネトレジスタンスを観測したものの、精度の高いパラメータの取得に至らなかった。市販のGaN、GaP結晶では、光キャリアの共鳴測定には至らず、局在状態からの発光が強く現れたことから、高密度なトラップの存在が自由キャリアの運動を阻害しているものと考えられる。X-bandでのサイクロトロン共鳴の回転半径は100 nm以下であることから、不純物や欠陥、転位などの散乱体の密度は1×1018 cm-3以下であることが望まれるが、まだそれが達成できていないということがネックになっている。

  • 研究成果

    (1件)

すべて 2021

すべて 学会発表 (1件) (うち国際学会 1件)

  • [学会発表] Note on Electronic Structures in Alloy Semiconductors2021

    • 著者名/発表者名
      Yuzo Shinozuka
    • 学会等名
      The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology
    • 国際学会

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公開日: 2021-12-27  

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