研究課題
基盤研究(C)
反強磁性CeRh2Si2の反強磁性量子臨界点近傍の温度・圧力相図を決定した。反強磁性量子臨界圧力よりも低圧側に局在・遍歴相転移が存在することを明らかにした。それぞれの臨界圧力において量子ゆらぎが発達し,超伝導相はその中間領域で観測される。反強磁性体CeIn3の反強磁性相内で,極低温のホール係数が不連続に変化することを観測した。その圧力領域において量子ゆらぎが発達するが,超伝導相は観測されなかった。
固体物理学
本研究ではCeRh2Si2とCeIn3において,反強磁性が絶対零度に抑制される磁気的量子臨界点だけではなく,反強磁性相内においてf電子の局在・遍歴転移の量子臨界点の存在とその周辺で量子ゆらぎが発達することを明らかにした。今後,他の重い電子系化合物においても同様の量子臨界点の探索と,量子ゆらぎをに起因する新奇電子状態の探索が期待される。