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本研究では，高強度レーザー光による分子のイオン化確率の角度依存性の計測法開発を行い，この手法に基づいた高強度レーザー光の電場と分子軸のなす角度に依存したイオン化確率の決定を行った。この方法を用いて，高強度光によりNO分子の回転波束を生成し，分子軸分布を時間発展させ，遅延時間ののちに第二の高強度光を照射しNO分子をイオン化する。生成した1価および２価親イオンの収量の遅延時間依存性からNO分子のイオン化確率の角度依存性を取り出すことができることを示した。また，3次高調波を用いて分子軸分布を計測する簡易な手法をN2分子に対して示した。
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