| 研究課題/領域番号 |
17K05602
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
原子・分子・量子エレクトロニクス
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| 研究機関 | 東洋大学 |
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研究代表者 |
本橋 健次 東洋大学, 理工学部, 教授 (50251583)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | イオンビーム / クラスターイオン / 薄膜 / 表面 |
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| 研究成果の概要 |
原子内包カーボンクラスターの合成と単離を同時に行う方法を開発するため，低エネルギーのネオンイオンビーム，アルゴンイオンビームをペンタセン薄膜曲面に入射した実験，フラーレンイオンビームをフェロセン終端チオール自己組織化単分子表面に入射した実験をそれぞれ行い，散乱粒子の質量分析を行った。
その結果，ネオン及びアルゴンイオンビームの実験では質量数30～600u程度のクラスターイオンが，フラーレンイオンビームの実験では鉄原子を吸着または内包したフラーレンイオンが生成された。
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| 自由記述の分野 |
原子物理学，放射線物理学，プラズマ物理学，表面物理学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
多様性に富む炭素クラスターは機能性物質として様々な分野に応用できるため，その合成法の開発が盛んに行われているが，所望の物質を単離することが難しいという壁のために多くの場合実用化が妨げられている。本研究成果は，イオンビームの薄膜表面上の小角多重散乱により，炭素クラスターの合成と単離を同時に行うことが可能であることを示すものである。従来法である炭素系表面へのイオン注入とは異なる独自の方法により，合成と単離の両立が可能になったことは学術的に大きな意義がある。
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