研究課題/領域番号 |
17K05797
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研究機関 | 公益財団法人国際科学振興財団 |
研究代表者 |
赤阪 健 公益財団法人国際科学振興財団, その他部局等, 主席研究員 (60089810)
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研究分担者 |
山田 道夫 東京学芸大学, 教育学部, 准教授 (00583098)
加固 昌寛 電気通信大学, 大学院情報理工学研究科, 教授 (10233678)
前田 優 東京学芸大学, 教育学部, 准教授 (10345324)
鈴木 光明 城西大学, 理学部, 助教 (40741757)
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研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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キーワード | フラーレン / 金属内包フラーレン / 化学修飾 / ナノカーボン / 常磁性金属内包フラーレン / 反磁性金属内包フラーレン |
研究実績の概要 |
本研究では、最も特異な構造と電子的特性を有するナノカーボンの一つである金属内包フラーレンに着目し、元素化学に基づく選択的化学修飾による構造、電子的特性、さらには磁性の制御を行う。得られた金属内包フラーレン誘導体の集積化を試み、革新的バルク機能を有する新たなナノカーボン材料の創製とその機能開拓を目的とする。常磁性内包フラーレン誘導体のナノロッドおよび薄膜の作成を試みた。最近幾つかの常磁性金属内包フラーレン誘導体においてナノサイズの針状結晶 (ナノロッド) を得ることに成功しているが、集積化金属内包フラーレンの機能評価として、ナノロッドによる導電性測定を試みた。すなわち常磁性金属内包フラーレンナノロッドおよび薄膜に対して導電特性や磁気特性を系統的に調べ、組織体全体に及ぶ電子的・磁気的な性質を明らかにすることに挑戦した。例えばLa@C82付加体ナノロッドの温度可変導電性測定により、電気伝導のメカニズムを明らかにした。一方、空フラーレンと金属内包フラーレンの個々の電子的特性により反応性が制御されることをC84とSc2C2@C84を用いて初めて見出した。また、Sc3N@C80の選択的一および二付加反応を用いて金属内包フラーレンの構造および電子的特性の制御を解明した。
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