研究課題
基盤研究(C)
希土類錯体に見られる遅い磁化緩和現象(いわゆる単分子磁石挙動)について、分子設計の観点より制御を試みるとともに、単結晶を用いた角度分解型の磁化率測定など新規の磁気測定方法を適応し、分子の対称性に着目しながら、その磁気物性の解明を試みた。希土類単核錯体および反磁性の2価金属イオンを含む三核錯体を複数合成し、軸位からの強い結晶場が遅い磁化緩和特性を強化すること、ある種の軸回りの対称性が緩和速度を加速することを見出した。
無機化学、錯体化学、磁気化学
希土類錯体を基盤とする単分子磁石は将来的に分子サイズのデバイスを実現するための候補と考えられており、合成化学的な手法による磁気特性の制御方法の確立は重要性が高い。今回の研究により分子の持つ異方性と磁気的な異方性の対応関係が明らかになるとともに、アキシャル異方性の強化が磁気特性の強化に結びつく反面、エカトリアル異方性が磁化緩和を加速する可能性について実験的に明らかにできた。