2020年度(令和2年度)における本研究では,「開発フェーズ」を継続して取り組むとともに,研究成果の発表(論文投稿による成果公表)に努めた.具体的な実施項目は以下のとおりである. (1)SiC基板の研磨レートに及ぼす摩擦係数の影響をデータ増によって追求し,とりわけ,摩擦係数の時系列変化におけるばらつき(標準偏差)と研磨レートには強い相関があることを確認した.その結果から,2019年度(令和元年度)に提示した結果に対する信頼性向上に成功した (2)英文論文誌(Precision Engineering)へ成果の投稿を行い,厳正な審査を経て掲載されるという成果を得た.これを通じて,本研究の特徴が広く展開されるとともに,SiC基板の高能率で且つ汎用装置に適用可能な手法として,実用化に向けたフェースに移行したい.
|