| 研究実績の概要 |
CNTフォレスト配線を用いた熱メタマテリアル構成要素技術を開発した。CNTフォレスト構造制御では、パルスガス供給制御により1μｍ高さの均一CNTフォレスト合成に成功した。赤外光吸収に関しては、合成条件を変え高さ20μｍに調整した様々な密度配向性のCNTフォレストを詳細に解析し、低反射率0.077%(λ＝750nm)のCNTフォレスト構造は4.5±1.7×10^12 CNT/cm2の成長密度で、高い配向性により反射率が低下したことを明らかにした[1]。高い赤外光吸収を期待するCNTフォレスト合成のためにランプ加熱CVD装置の立ち上げを行い、真空下で基板をランプ加熱する機構を整備した。
CNTフォレスト異方性構造体の作製に関し、赤外領域のCNTフォレストメタマテリアルパターンの吸収増大の効果について、CNTフォレスト内部の配向依存性を実験と計算から明らかにした。[2]
新規CNTフォレストメタマテリアルとして、霜柱状CNTフォレストをパンチングメタル形状に加工し赤外光吸収増大の効果を見出した。[3]
[1] A. Pander K. Ishimoto, A. Hatta, and H. Furuta, Vacuum, accepted in press (2018).[2] A. Pander, K. Takano, A. Hatta, M. Nakajima, and H. Furuta, Diam. Relat. Mater. 80(2017)99-107. [3] H. Miyaji, A. Pander, K. Takano, H. Kohno, A. Hatta and H. Furuta, Diam. Relat. Mater. 83(2018)196-203.
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