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集積回路の分野では、微細化に頼ってきた2次元集積回路の開発から微細化に頼らず高集積化を実現できる3次元集積回路の開発が進展している。特に、3次元集積回路の配線技術で注目しているのが、チップやウエハーを上下間で最短距離で接続できるシリコン貫通ビアである。しかしながら、シリコン貫通ビアを完成した集積回路の後に作るには様々な課題に直面しており、とりわけすべてのプロセスを200℃以下の低温で行う材料や技術開発が必要不可欠となる。さらに、Cuを用いた微細なシリコン貫通ビアの形成には、シリコン貫通ビア内に絶縁バリヤや拡散バリヤが欠かせないが、これらの膜厚の低減や界面で生じる界面層の形成の低減を実現した界面層フリーなバリヤを実現させることが求められている。そこで、本研究では、界面層フリーなシリコン貫通ビアを実現するために、バリヤ性を有する拡散バリヤの低温作製を行ってきた。本年度では、これらの界面層のないバリヤが得られるだけでなく、エレクトマイグレーション耐性に優れた下地材料と有用な結果が得られた。
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