GaAs基板上InAs量子ドットの長波長発光を目指し、量子ドット形成前のGaAs下地層への窒素ドープとGaAsキャップ層埋め込み成長温度変化を組み合わせた量子ドットの発光波長制御手法について研究を行った。窒素ドープによるGaAs下地層から量子ドット内へのGa混入の抑制にともなうas-grownの量子ドットサイズの減少とIn組成の増大、キャップ温度による埋め込み成長過程の量子ドット縮小の3つの効果が重畳して発光波長が決定されることを明らかにするとともに、従来の試料と比較して、高い発光強度での1.3 μm帯発光を達成した。
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