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緑から青色の広い可視光領域をカバーできる新規発光層・クラッド層材料として、そして「グリーンギャップ問題」を解決し得る有望材料として期待されるZnTeおよびZnMgTe混晶半導体に着目し，p型の単極性を示す本材材料の電気伝導型制御を困難としてきた阻害要因を明らかにすることを目的とした。有機金属気相成長法と成長後アニール処理を組み合わせた手法を用いることで，ドーパントの活性化率が向上すること，そしてキャリア密度と格子定数の相関性が明確になるケースの存在を見出すとともに，ZnMgTeの電子状態に関する知見を得た。またアニール処理温度が複合体アクセプタの増減に影響することなど多くの重要な洞察を得た。
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