| 研究課題/領域番号 |
17K06364
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
川津 琢也 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主任研究員 (00444076)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | 半導体 / 光起電流 / 電界効果トランジスター / 量子ドット |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、レーザー照射方法や高指数面基板上の量子ドットにより、半導体量子構造に形成された２次元電子チャネルの空間的な対称性を低下させ、面内光起電流を生じさせることを試みた。特に、波長の異なる２種類のレーザーを照射した時にだけ、面内光起電流が生成されるような素子(光AND素子)の作製を目指した。その結果、(1)変調ドープn-AlGaAs/GaAsヘテロ接合のゲート光照射と(2) 異方的量子ドット埋め込み素子において、光AND演算動作の実証に成功した。
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| 自由記述の分野 |
半導体物理
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
波長の異なる２種類のレーザーを照射した時にのみ面内光電流を生じさせるような光ガルバノ効果(２波長励起光ガルバノ効果)に関する研究は、他では例がなく、極めて独創的なものである。特に、光照射方法や異方的な量子ドットにより、空間的な対称性の低下を生じさせ、光ガルバノ効果を引き起こす試みは、本研究独特の手法であり、学術的意義は大きい。また、本研究で得られた結果は、光スイッチング素子や光論理素子(光AND素子)への応用が可能で、その社会的な貢献も期待できる。
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