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2019 年度 実施状況報告書

実験と理論の融合による半導体デバイス型水素センサの高性能化

研究課題

研究課題/領域番号 17K06365
研究機関国立研究開発法人物質・材料研究機構

研究代表者

色川 芳宏  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主幹研究員 (90394832)

研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2021-03-31
キーワード窒化ガリウム / MIS型水素センサ
研究実績の概要

昨年までの研究で、窒化ガリウムショットキーダイオード型水素センサにおいて、水素応答に重要な役割を果たす窒化ガリウム自然酸化膜がアモルファス構造ではなく、単結晶の酸化ガリウムがナノシート状となっていることが明らかになり、その自然酸化膜の電子物性的評価を行った。さらに、窒化ガリウムの金属/絶縁膜/半導体構造においても、絶縁膜/半導体界面に数原子層の結晶性中間層が存在することが明らかになった。そこで、次のステップとして、窒化ガリウム自然酸化膜上に酸化アルミニウムを堆積させた金属/絶縁膜/半導体構造の水素センサを作製して、水素応答性を調べた。その結果、以下の3点が明らかになった。1)絶縁膜(酸化アルミニウム)と水素が相互作用した結果、センサの水素応答が実現する、2)センサ周辺の雰囲気を乾燥空気にした場合、窒素雰囲気と比べて素子の回復が早い、3)電極にマイナスのバイアスを印加すると、素子の回復が早い。1)では、窒化ガリウムの自然酸化膜のみならず、酸化アルミニウム等の絶縁膜も水素と相互作用する点、および金属/絶縁膜/半導体構造において金属と半導体は本質的な役割を果たさないことを示唆している。2)では、金属/絶縁膜/半導体構造において金属が触媒的な役割を果たしていることを示唆している。3)では、センサ内に取り込まれた水素は絶縁膜内で正の可動電荷状に存在していることを示唆している。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

3: やや遅れている

理由

これまでの研究で、窒化ガリウム型水素センサの動作機構が相当明らかになったものの、実際の素子として使用するための素子構造の最適化までには至っていない。

今後の研究の推進方策

ガス種や温度等の様々な条件での検出を行い、実際の素子として使用するための素子構造の最適化を行う。

次年度使用額が生じた理由

水素検知機構を明らかにすることは必要不可欠であり、そのための研究に取り組んだ。次年度は素子の実用化を念頭に入れた構造最適化に予算を投入する。

  • 研究成果

    (1件)

すべて 2019

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件)

  • [雑誌論文] Hydrogen effect on Pt/Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor capacitors2019

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Osami Sakata and Yasuo Koide
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 ページ: 100915

    • 査読あり

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公開日: 2021-01-27  

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