近年、窒化ガリウム(GaN)を利用したデバイスの研究開発が盛んに行われている。これまでに、結晶中の欠陥や転位によってデバイス性能が大きく低下することが知られている。しかし、欠陥を評価する技術がほとんどないため「特性を劣化させる欠陥種は何か」など、基本的な知見が得られていない。本研究では、試料表面の物性を高い空間分解能で評価することができる走査型プローブ顕微鏡技術を応用し、原子スケールでGaN結晶中の欠陥を評価する技術を開発した。今後、この技術をデバイスで使用されるGaN結晶膜の評価へ応用することで、欠陥種の特定やその物性評価が可能となり、GaNデバイス性能向上への貢献が期待できる。
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