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プリアモルファス化を行ったシリコン同位体試料に対して、フッ素とホウ素をイオン共注入し、拡散実験を行った。その結果、従来独立して考えられてきたフッ素・空孔クラスターからの空孔放出とフッ素・ホウ素間の直接的相互作用の両方がホウ素拡散抑制に寄与していることを明らかにした。また、アニール時間依存性の実験から、フッ素・空孔クラスターが、オストワルト成により時間とともに解離速度が遅くなっていることが分かった。さらに、独自に確立した拡散シミュレーションを用いて、フッ素・空孔クラスターについて2種類のクラスターを考慮するモデルを構築し、フッ素の存在によるホウ素拡散抑制を統一的に予測できるようになった。
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