• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2019 年度 研究成果報告書

フッ素共注入によるシリコン中の過渡的増速拡散抑制

研究課題

  • PDF
研究課題/領域番号 17K06397
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関慶應義塾大学

研究代表者

植松 真司  慶應義塾大学, 理工学研究科(矢上), 特任教授 (60393758)

研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2020-03-31
キーワードシリコン / 不純物 / 拡散 / ホウ素 / フッ素 / イオン注入 / 同位体 / シミュレーション
研究成果の概要

プリアモルファス化を行ったシリコン同位体試料に対して、フッ素とホウ素をイオン共注入し、拡散実験を行った。その結果、従来独立して考えられてきたフッ素・空孔クラスターからの空孔放出とフッ素・ホウ素間の直接的相互作用の両方がホウ素拡散抑制に寄与していることを明らかにした。また、アニール時間依存性の実験から、フッ素・空孔クラスターが、オストワルト成により時間とともに解離速度が遅くなっていることが分かった。さらに、独自に確立した拡散シミュレーションを用いて、フッ素・空孔クラスターについて2種類のクラスターを考慮するモデルを構築し、フッ素の存在によるホウ素拡散抑制を統一的に予測できるようになった。

自由記述の分野

電子材料物性

研究成果の学術的意義や社会的意義

微細化が進むシリコン半導体プロセスで、極浅接合形成における拡散制御は極めて重要な課題である。ホウ素ドーピングに広く用いられるイオン注入では、フッ素の存在がイオン注入誘起損傷によって生じるホウ素の過渡的増速拡散を抑制することが知られている。しかし、その抑制機構の詳細は明らかではなかった。本研究成果により、フッ素によるホウ素抑制機構が明らかとなり、拡散を統一的に予測するシミュレーションが可能となった。

URL: 

公開日: 2021-02-19  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi