| 研究課題/領域番号 |
17K06878
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属・資源生産工学
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| 研究機関 | 芝浦工業大学 |
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研究代表者 |
永山 勝久 芝浦工業大学, 工学部, 教授 (80189167)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | ドロップチューブプロセス / 液滴溶融凝固プロセス / Ⅲ‐Ⅴ族化合物半導体 / 希薄磁性半導体 / 単結晶 / 液相エピタキシャル成長 / 窒化物半導体 / シリサイド半導体 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、Ⅲ－Ⅴ族半導体GaSbとInSb及びGaSbとInSb系磁性半導体の単結晶微粒子生成に対するドロップチューブ法の有効性を解析した。さらに、単結晶Siウエハ上でGaSbを溶融凝固させる独自な手法を用いてバルク単結晶生成について検討した。また、融液からの窒化物生成とシリサイド半導体の生成についても解析した。
その結果、GaSbとInSb及び0.5%程度の磁性元素を固溶する磁性半導体単結晶微粒子生成に対する本プロセスの有効性が明確化でき、併せて、シリサイド半導体の特異な結晶成長が認められた。さらに、液相エピタキシャル成長に起因した単結晶構造に酷似するGaSbのバルク結晶の生成が示された。
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| 自由記述の分野 |
物質創製科学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究はⅢ-Ⅴ族化合物半導体の単結晶微粒子生成に対するドロップチューブプロセスの有効性を示した研究である。さらに、GaSbとInSbに種々の磁性元素を添加し、融液からの磁性半導体の単結晶微粒子生成と磁性元素の固溶量を解析した意義ある研究である。また、液相法を利用した窒化物生成と高過冷度発現を利用したシリサイド半導体の生成についても成果を得ている。さらに、単結晶Siウエハ上で溶融凝固させる独自な手法を提示し、液相エピタキシャル成長に起因したGaSbのバルク単結晶の生成についても優れた成果を得ている。
従って、本研究で得られた成果は高い学術的意義を有し、社会と産業界与える波及効果は絶大と考える。
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