|
2元素ナノギャップNEMS構造を検討し，素子作製およびその評価を行った．従来のナノギャップ素子はリーク電流を伴い、不揮発性記憶素子としての機能を喪失するのに対して，新たに開発した2元素ナノギャップNEMSは，高温環境における原子拡散抑制機能により，リーク電流を抑制し，900°C超の温度環境でも不揮発性記憶素子としての機能を維持した．また，金属内包炭素系ナノ材料からなる2元素NEMS素子を創成した。金属内包フラーレン分子を自己組織化により細線形状にする手法を応用して，平面デバイスを製作し，その特性を評価した．また，機能機構解明のため，透過型電子顕微鏡観察用素子作製技術や結晶制御技術を確立した．
|
