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2018 年度 実施状況報告書

軌道秩序が引き起こす巨大正方晶歪ペロブスカイトの薄膜合成

研究課題

研究課題/領域番号 17K14105
研究機関東京工業大学

研究代表者

重松 圭  東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (40754578)

研究期間 (年度) 2017-04-01 – 2020-03-31
キーワードエピタキシャル薄膜 / 遷移金属酸化物
研究実績の概要

高圧合成法により得られる準安定相の立方晶ペロブスカイトバナジウム化合物BaVO3ならびにSr1-xBaxVO3薄膜のパルスレーザー堆積法による合成と物性評価に取り組んだ。還元ガスである水素混合アルゴンガスを導入した成膜により、副生成物を抑制できることを見出した。面直-面内格子定数比c/aはBa置換量に対して低温において絶縁体化し、c/aが1.04の薄膜が得られた。d電子をひとつだけ持つバナジウム4価のピラミッド配位化による巨大正方晶相の存在を確認するため、上記の薄膜について第二次高調波発生測定を測定した。強誘電体であるBi(Fe,Co)O3薄膜と比較すると、Sr1-xBaxVO3薄膜は有意な強度を示さなかった。正方晶化している領域の厚さが小さいことが問題と考えられるので、これを増大させることで改善が可能であると考えられる。
また、Sr1-xBaxVO3薄膜と接合する電極として利用できる材料として、格子定数の小さい四重ペロブスカイト化合物RCu3Mn4O12に着目した。この物質は合成に高圧印可が必要な準安定相であるが、代わりにYAlO3基板との格子整合による安定化によってエピタキシャル薄膜化させることに成功した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

3: やや遅れている

理由

昨年度に記載した検討課題であった、Baの置換量が大きくなるほど高酸化数側の不純物が生成しやすくなりプロセスウインドウが狭くなる問題点について、アルゴン水素ガスの導入により薄膜の品質を上昇させることができた。これをふまえて、薄膜の特性評価にも着手することができるようになったので、物性評価をまとめあげて成果発表へとつなげる予定である。

今後の研究の推進方策

これまでの検討より、Sr1-xBaxVO3薄膜の作製性を概ね確保することができるようになったので、電気伝導特性などの評価を行い、成果発表へとまとめ上げる。また、四重ペロブスカイト酸化物では、高圧での安定相をエピタキシャル薄膜化によって安定化する指針を新たに見出すことができたので、その成果について外部発表できるようにまとめ上げるとともに、高圧相の安定化を他物質に検討できるかどうか検討を進める。

次年度使用額が生じた理由

研究進捗のうち、薄膜の合成条件確立に遅れが生じたため、外部発表のとりまとめが後ろ倒しになってしまった。次年度の残額は主に資料の基板と外部発表成果に使用予定である。

  • 研究成果

    (5件)

すべて 2019 2018

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (4件) (うち国際学会 1件)

  • [雑誌論文] Room temperature ferromagnetism in BiFe1-xMnxO3 thin film induced by spin-structure manipulation2018

    • 著者名/発表者名
      Kei Shigematsu, Takeshi Asakura, Hajime Yamamoto, Keisuke Shimizu, Marin Katsumata, Haruki Shimizu, Yuki Sakai, Hajime Hojo, Ko Mibu, and Masaki Azuma
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 109 ページ: 192905

    • DOI

      doi.org/10.1063/1.5024710

    • 査読あり
  • [学会発表] Epitaxial growth and strain manipulation of magnetic anisotropy in room temperature ferrimagnetic quadruple perovskite2019

    • 著者名/発表者名
      Kei Shigematsu, Kazumasa Yamamoto, Keisuke Shimizu, and Masaki Azuma
    • 学会等名
      The 8th Indo-Japan Seminar “Designing Emergent Materials”
    • 国際学会
  • [学会発表] マルチフェロイックBiFe0.9Co0.1O3薄膜のストライプ型強誘電・強磁性ドメインの相関2019

    • 著者名/発表者名
      勝俣真綸, 清水陽樹, 清水啓佑, 重松圭, 東正樹
    • 学会等名
      日本セラミックス協会2019年年会
  • [学会発表] フェリ磁性体四重ペロブスカイト型LnCu3Mn4O12薄膜の電子状態2018

    • 著者名/発表者名
      重松 圭, 山本 一理,清水 啓佑, 西久保 匠, 酒井雄樹, 東 正樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] Bサイト置換 BiFeO3薄膜の強誘電・磁性ドメイン2018

    • 著者名/発表者名
      勝俣真綸, 清水陽樹, 清水啓佑, 重松圭, 東正樹
    • 学会等名
      第79回応用物理学会秋季学術講演会

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公開日: 2019-12-27  

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