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基礎科学分野において，また，様々な応用へ向けて期待が高まるゲルマニウムでできた二次元材料の形成，特に，グラフェン様の蜂の巣格子を持つゲルマネンの形成を主な目的とした．二ホウ化ジルコニウム薄膜上に自発形成される二次元状 Geの構造は二つの三角格子からなり，この構造は電子状態にフラットバンドを持つことが明らかとなった．また，二ホウ化ジルコニウム薄膜上シリセンにGeを蒸着して二次元SiGe混合層を形成し，バンド幅の制御を実験的に可能にした．その他，ゲルマネンとの格子整合性に優れ，電子状態への影響が少ないことが期待される基板としてInSeに着目し，Ge単結晶上への単結晶配向薄膜の成長に成功した.
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