ペロブスカイト型SrIrO3およびCaIrO3は結晶および時間反転対称性で保護されたディラックノードを持つことが期待されている半金属である。SrTiO3(001) 上に作製した 両物質の膜において、IrをSnで置換することによってバンド幅の抑制とポテンシャルの不均一性の導入を行った。SrIrO3においては置換の影響は低温での磁性と絶縁性の同時発現という形で現れ、CaIrO3においては磁気転移を伴わない絶縁化として現れた。Sn置換CaIrO3では不均一性が絶縁化の直接の原因になったのに対し、Sn置換SrIrO3ではそうではないと結論した。
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