研究実績の概要 |
嵩高い置換基を持つルイス酸とルイス塩基を組み合わせたフラストレイティドルイスペア(FLP)は、水素等の小分子の不均等開裂を可能とし、触媒としての応用も進んでいる。このFLPの概念を遷移金属錯体に取り入れ、遷移金属特有の挿入反応と組み合わせた触媒反応などが期待されているが、挿入活性の高い後期遷移金属はルイス酸性が低いため、これをルイス酸としたFLPの報告例は存在しなかった。そこで本研究では、中心金属のルイス酸性の向上が期待できるPNPピンサー型ホスファアルケン配位子(ビスホスファエテニルピリジン・BPEP)を有する配位不飽和なカチオン性錯体を合成し、これを用いたFLPの構築と触媒反応への応用を目的とした。 2018年度は、配位不飽和なカチオン性BPEP錯体の合成検討の過程で、剛直な縮環構造を持ったEind(1,1,3,3,5,5,7,7-octaethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydro-s-indacen-4-yl)基を立体保護基とするPNPピンサー型ホスファアルケン配位子Eind2-BPEPと各種L型補助配位子を有する四配位白金(0)錯体を合成した。そして、単結晶X線結晶構造解析の結果から、この錯体が白金(0)錯体としては異常な平面四角形を取り、その平面構造がL型補助配位子の電子的特性に応じて変化することを見出した。また、DFT計算を用い、この構造の変化はL型補助配位子のπ受容性が影響していることを示した。さらに、L型補助配位子の電子的特性は錯体のHOMOのエネルギー準位を変化させ、その傾向は可視紫外吸収スペクトルに反映されることも見出した。
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