| 研究課題/領域番号 |
17K14601
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
熱工学
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
井ノ上 泰輝 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 助教 (00748949)
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| 研究期間 (年度) |
2017-04-01 – 2020-03-31
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| キーワード | カーボンナノチューブ / CNT / 半導体 / 電界効果トランジスタ / 窒化ホウ素 / BNNT / 化学気相成長法 / 同位体 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，半導体性の単層カーボンナノチューブ（CNT）から成る配向構造を作製する手法の確立を行った．水平配向合成した単層CNTにおいて金属CNTを選択的に長尺燃焼することで，半導体CNT配向構造を一定領域に得ることに成功した．さらに単層CNTの成長分析により長尺・高密度化への知見を得るとともに，絶縁・誘電層となる窒化ホウ素ナノチューブの同心状合成を実現した．
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| 自由記述の分野 |
ナノカーボン材料
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本成果により大面積に半導体CNT配向構造を得る道筋が開かれたことから，CNTを用いた電界効果トランジスタなどの工業的応用の実現が期待される．また，従来分析不可能であった単一単層CNTの成長過程を追跡が可能となり，成長メカニズムの理解による単層CNT構造制御合成に近付いた．単層CNTと異種ナノチューブの複合構造の実現は，2次元物質で盛んなヘテロ構造の研究を1次元物質へと広げるものであり，オールナノチューブトランジスタを始めとする様々な新奇構造デバイスの実現が期待される．
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