2019 年度研究成果報告書

GaNパワーデバイスの実用化に向けた、転位のデバイスに与える影響及び原理の解明

研究課題

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研究課題/領域番号	17K17808
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	電子デバイス・電子機器電子・電気材料工学
研究機関	名古屋大学
研究代表者	田中敦之名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 特任准教授 (30774286)
研究期間 (年度)	2017-04-01 – 2020-03-31
キーワード	GaN / 窒化ガリウム / パワーデバイス / 転位 / ダイオード / 漏れ電流
研究成果の概要	GaNパワーデバイスにおける、GaN結晶中の転位がデバイスにどのような影響を与えるかについての研究を行った。その成果として、1cの螺旋転位部分がpinダイオードに存在して居ると逆方向電圧印加時にリークを引き起こしていることを明らかにした。また、上記の成果を得る過程で、複屈折顕微鏡像によるGaN中転位のバーガースベクトル判別、繰り返しアバランシェ降伏可能なpinダイオードの作製方法、GaN中基底面転位の多光子励起キャリアによるREDGの発生確認等の成果も得ることが出来た。
自由記述の分野	GaNパワーデバイス
研究成果の学術的意義や社会的意義	今後、持続可能な社会を実現していく上で、電力エネルギーに関しては低消費電力化という取り組みが重要になってくる。この低消費電力化においてGaNパワーデバイスは非常に重要な役割を担う事が期待されている。その役割を担うためにはGaN結晶についての深い理解が必要であり、本研究成果はGaN結晶をパワーデバイスに用いる際に知っておくべきことを学術的に明らかにしたものである。