円偏光rf磁場下での垂直磁性体の磁化反転の膜厚依存性を1次元有効スピンモデルを用いて分析した。その結果、2つの臨界膜厚(dc1, dc2)が存在することが分かった。膜厚が薄い場合、反転モードはマクロスピンモデルで良く説明することができる均一モードであることが分かった。膜厚を増加させてdc1より厚くなると、反転モードは不均一モードになることが分かった。更に膜厚を増加させてdc2より厚くなると、反転磁場のrf周波数依存性において反転磁場が最小値をとる臨界周波数が増加した。臨界周波数が増加することによって、結果として、従来のマイクロ波アシスト磁化反転よりも反転磁場を更に低減できることを示した。
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