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n-Si(100)基板上に高密度形成したSi量子ドット6層集積構造において、Au極薄上部電極形成後、硬X線光電子分光を用いて、電圧印加時のSi量子ドット多重集積構造における電界分布を調べた結果、Si酸化膜成分およびSi基板とSi量子ドットに起因するSi-Si結合成分は、電圧印加の増加に伴い低エネルギー側へシフトし、半値幅が増大することに加え、Si-Si成分が非対称なスペクトル形状になることが分かった。また、得られたスペクトルは、印加電圧-6VではSi量子ドット6層およびSi基板の7成分で分離することができ、隣接する成分間のシフト量は、上層のドットほど増加することが分かった。
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