研究成果の概要 |
パルスレーザー堆積法によりMgO基板上にエピタキシャル成長させたCr-Si-N-O薄膜を作製した。Cr-Si-N-O薄膜の組成はラザフォード後方散乱分光法により分析した。X線回折図形および透過型電子顕微鏡による観察より、単結晶ライクな(Cr,Si)(N,O)薄膜であると考えられる。またSADパターンよりD51の回折が見られることから積層不整が生じていると考えられる。そのため、(Cr,Si)(N,O) 薄膜は Si添加の固溶硬化と酸素添加の積層不整を内在していると考えられる。ナノインデンテーション法による硬度測定の結果、Cr-Si-N-O薄膜の硬度は約35 GPaであった。
|