| 研究課題/領域番号 |
17K19036
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
吾郷 浩樹 九州大学, グローバルイノベーションセンター, 教授 (10356355)
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| 研究分担者 |
光原 昌寿 九州大学, 総合理工学研究院, 准教授 (10514218)
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| 研究期間 (年度) |
2017-06-30 – 2019-03-31
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| キーワード | 六方晶窒化ホウ素 / CVD法 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 触媒・化学プロセス / 結晶成長 |
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| 研究成果の概要 |
近年、グラフェンをはじめとする原子層物質が、そのユニークな電子・光物性等から次世代デバイス材料として大きな注目を集めている。六方晶窒化ホウ素（hBN）は、大きなバンドギャップを有する絶縁性の原子層物質で、近年は他の原子層物質のポテンシャルを引き出す極めて重要な材料となりつつある。しかし、これまでは小さな結晶からの剥離でしか多層hBNを得ることができなかった。本研究では、大面積合成が可能な化学蒸着法（CVD法）を用い、厚さ均一性に優れたhBNの合成に道筋をつけることができた。さらに、このhBNが遷移金属ダイカルコゲナイドの光学物性の向上に寄与することも見出した。
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| 自由記述の分野 |
ナノテクノロジー
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
多層hBNは、グラフェンなどの原子層物質のキャリア移動度や光学特性を劇的に向上させることができることから、現在では原子層物質で優れた特性や新規物性を得るために不可欠な材料になりつつある。hBNをシリコン基板と原子層物質の間に挿入すると、シリコン表面の粗さやダングリングボンドなどの影響を大きく遮へいすることができるからである。従来は剥離法でしか得られなかった多層hBNを、本研究はCVD法で大面積に合成することに道筋をつけたものであり、今後の原子層物質の科学の進展を大きく促進するものである。本研究成果は様々な原子層物質の応用の可能性を大きく拡げるものであり、社会的意義も極めて大きいといえる。
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