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2017 年度 実施状況報告書

ミクロの原子/分子スイッチとマクロの電気伝導を繋ぐ原子スケールエレクトロニクス

研究課題

研究課題/領域番号 17K19052
研究機関東京工業大学

研究代表者

山崎 詩郎  東京工業大学, 理学院, 助教 (70456200)

研究期間 (年度) 2017-06-30 – 2020-03-31
キーワード走査トンネル顕微鏡 / 原子間力顕微鏡 / 走査トンネル電位計 / 原子スイッチ / 電気伝導 / 分子 / 表面
研究実績の概要

走査トンネル顕微鏡は、原子分解能像を得るのみならず、原子を一つ一つ動かす原子操作や原子スイッチが可能である。一方で、原子間力顕微鏡(AFM)により、単一分子の分子骨格が画像化されるなど進展が著しい。研究代表者は、4つのSi原子が傾いて結合したSi4原子スイッチを作製し、世界で初めてSTMのトンネル電流とAFMの化学結合力の両方で同時に原子スイッチさせることに成功した [論文Nano Letters]。他方で、走査トンネルポテンシオメトリー(STP)は試料にマクロな電流を流しながらナノスケールで電気伝導をマッピングできる手法である。本研究計画ではその方向性を組みなおし、Si4原子スイッチ同士や分子と連動させて、それらの電子状態をSTMで結合状態をAFMで、さらに電気伝導状態をSTPで可視化することを目指した。
装置の立ち上げに関して、共同研究によりOmicron社製低温4探針STMの再立ち上げの準備を行った。また、STPに関連して、東大との共同研究により、電気伝導を測定するUNISOKU社製低温4端子を獲得し、2017年5月に現所属へ搬入した。研究内容に関して、研究の基盤となるSi4単体のAFMによる原子スイッチの研究、および双子Si4-Si4原子スイッチの研究を国際学会含む8回の学会発表(ACSIN2016, ICSPM, NC-AFM2017, ISSS8、他)や招待講演(横浜国立大学、上海交通大学)で発表した。また、本研究計画の準備にもつながる、STPの試験で用いるAg(111)超薄膜上に関する研究が広がった。Ag(111)超薄膜上での量子井戸状態と鏡像準位状態との相互作用を観測した[論文PRB]。また、r3-B/Si(111)表面超構造とAg(111)超薄膜との界面に3x3超周期が存在することをSPring-8のX線構造回折により確かめた[論文JJAP]。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

【装置改造3:4探針STMの立ち上げと4探針STP化】奈良先端大との共同研究により、Omicron社製低温4探針STMを獲得した。現地調査により、大気中でのプローバーとしての動作、超高真空中でのSTMとしての動作、超高真空中での高分解走査型電子顕微鏡の動作の3段階で再起動を進める計画を立て、問題なく立ち上げられるめどが立ったことを業者と確認した。一方で、30W以上の電源、冷却水循環装置、圧縮空気等のインフラ不足していることを業者と確認した。装置は現地での立ち上げと調節後にH31年度4月を目標に現所属への搬入手続きを進めている。また、東大との共同研究により、UNISOKU社製低温4端子を獲得し、5月に現所属へ搬入した。主要な装置は揃っているが、準備室が不足している状態である。
【計画1-1:連動する双子Si4-Si4原子スイッチをAFMの力で原子スイッチする】基礎となっているSi4単体のAFMによる原子スイッチの研究、および双子Si4-Si4原子スイッチの研究を国際学会含む8回の学会発表(表面科学学術講演会、日本応用物理学会、ACSIN2016, ICSPM, NC-AFM2017, ISSS8、他)や招待講演(横浜国立大学、上海交通大学)で発表した。
【装置改造2:電気伝導測定のためのSTP多探針化の試験で用いるAg(111)超薄膜の研究】Ag超薄膜上での量子井戸状態と鏡像準位状態との相互作用を観測した[論文PRB]。また、r3-B/Si(111)表面超構造とAg(111)超薄膜との界面に3x3超周期が存在することをSPring-8のX線構造回折により確かめた[論文JJAP]。超薄膜、および電気電導度の研究に関連して、In単原子層の新たな超構造を発見した[学会発表]。また、ドーパント量による金属絶縁体転移温度の操作をLEEDにより行った[国際学会発表]。

今後の研究の推進方策

【装置改造1:力と分子骨格計測のためのAFM化】若手研究(A)によりUNISOKU社製低温STMの導入を進めた。本研究課題の力スイッチと分子骨格計測を行うためにはAFMセンサーの加振とその検出のために2つの電極を追加し、探針と試料を上下逆にするのがポイントである。この改造を行ったユニソク社製改造AFMユニットを導入する。
【装置改造2:電気伝導測定のためのSTP多探針化】本研究課題の電気伝導測定をSTPで行うためには、電流導入のための電極2つとそれを表面一原子層に届けるためのプローブが必要である。その改造を行ったユニソク社製改造AFM/STPユニットを導入する。
【装置改造3:4探針STMの立ち上げと4探針STP化】基盤研究(B)の補助、および奈良先端大との共同研究により、Omicron社製低温4探針STMの搬入準備を進めている。4探針STMヘッドやSEMのメンテナンスや交換を行い、まずは4探針STMとして再稼働させる。続いて、4探針AFMおよび4探針STPへ改造し、原子構造と電気伝導の原子スケール可視化が可能となる。
【計画1-1:連動する双子Si4-Si4原子スイッチをAFMの力で原子スイッチする】Si(111)-7x7表面に0.2ML程度のSi原子を室温で蒸着して、相互作用するSi4原子スイッチを作成する。Si4原子スイッチの4つの原子のうち、OnまたはOff状態にあるSi原子上に探針を移動し、力の距離依存性(フォースカーブ)を測定する。その急峻な変化点から力スイッチに必要な力がそれぞれ何nNの引力なのかを求める。それを単体のSi4原子スイッチの場合の約1.5nNと比較し、相互作用が力スイッチに与えた影響を知る。次年度からは、PTCDA分子を蒸着し、Si4原子スイッチとの連動や、分子単独でのスイッチを狙う。

次年度使用額が生じた理由

若手研究(A)および東北大学との共同研究で立ち上げていた、UNISOKU社製低温STMにAFMとSTPの機能を組みこみ、STMによる電子状態とAFMによる原子構造とSTPによる電気伝導を原子/分子スイッチ上で観測する計画であった。しかしながら、想定外にも、Omicron社製の低温4探針STMを獲得することが決まった。STPの機能を組み込むのであれば後者の方が能力的に高いが、一方で装置の再立上の難易度も高い。そのため、計画の再検討に時間を要し、次年度の競争的資金の獲得状況もその計画に大きな影響を及ぼすため、その結果が出る今年度までは判断を待った。結果として、基盤研究(B)によりOmicron社製の低温4探針STMを十分立ち上げてAFMやSTPに改造できるめどが立ったその結果、時期は遅れたが、本研究計画の予算は当初の計画通りにUNISOKU社製低温STMのAFMとSTPへの立ち上げに用いることとなった。

  • 研究成果

    (36件)

すべて 2018 2017 その他

すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (29件) (うち国際学会 9件、 招待講演 3件)

  • [国際共同研究] Univ. Autonama de Madrid(Spain)

    • 国名
      スペイン
    • 外国機関名
      Univ. Autonama de Madrid
  • [国際共同研究] Academy of Sciences of the Czech(チェコ)

    • 国名
      チェコ
    • 外国機関名
      Academy of Sciences of the Czech
  • [雑誌論文] X-ray structural analysis of epitaxially grown Ag film/Si(111)√3x√3-B substrate interface2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Yoshiike, H. Tajiri, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 ページ: 075701-1-8

    • DOI

      10.7567/JJAP.57.075701

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structure and growth of Bi(110) islands on Si(111)√3x√3-B substrates2018

    • 著者名/発表者名
      K. Nagase, I. Kokubo, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 97 ページ: 195418-1-8

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.97.195418

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Interaction of Stark-shifted image potential states with quantum well states in ultra-thin Ag(111) films on Si(111)√3x√3-B substrates2017

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara, K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 96 ページ: 75444

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.96.075444

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Size, shape, and number density of deposits in the graphene solution liquid droplet method2017

    • 著者名/発表者名
      Takagi Yuka, Yamazaki Shiro, Nakatsuji Kan, Hirayama Hiroyuki
    • 雑誌名

      Materials Today Communications

      巻: 13 ページ: 65-71

    • DOI

      10.1016/j.mtcomm.2017.08.009

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Mechanical properties of In/Si(111)-(8×2) investigated by atomic force microscopy2017

    • 著者名/発表者名
      Kota Iwata, Shiro Yamazaki, Akitoshi Shiotari and Yoshiaki Sugimoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 ページ: 15701

    • DOI

      10.7567/JJAP.56.015701

    • 査読あり
  • [学会発表] Si(111)√3x√3-B基板上のIn吸着表面超構造2018

    • 著者名/発表者名
      車尾ヴァレンティン基、荻野嵩大、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本表面科学会 第3回関東支部講演大会
  • [学会発表] Ag超薄膜中の量子閉じ込めにおけるwetting layerの効果2018

    • 著者名/発表者名
      板倉悠太、菅原喜周、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本表面科学会 第3回関東支部講演大会
  • [学会発表] STMとAFMを同時に用いた 原子スイッチの競合2018

    • 著者名/発表者名
      山崎詩郎
    • 学会等名
      日本表面科学会 第3回関東支部講演大会
    • 招待講演
  • [学会発表] Si(111)√3x√3-B表面上に成長したBi(110)超薄膜の構造2018

    • 著者名/発表者名
      長瀬謙太郎、小久保郁也、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      プローブ顕微鏡研究部会合同シンポジウム
  • [学会発表] 表面X線回折によるAg/Si(111)√3x√3-B界面構造の研究2018

    • 著者名/発表者名
      吉池雄作、田尻寛男、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会第73回年次大会
  • [学会発表] Bi/Si(111)4x1-In表面の構造と電子状態2018

    • 著者名/発表者名
      下川裕理、田中和也、佐藤圭介、渡邊瞳、山崎詩郎、飯盛拓嗣、小森文夫、間瀬一彦、平山博之、中辻寛
    • 学会等名
      日本物理学会第73回年次大会
  • [学会発表] Si(111)√3x√3-B表面のIn吸着構造2018

    • 著者名/発表者名
      車尾ヴァレンティン基、荻野嵩大、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会第73回年次大会
  • [学会発表] AFM/STM-induced atom-scale catalytic switching of molecule-like Si2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yamazaki, K. Maeda, Y. Sugimoto, M. Abe, P. Pou, L. Rodrigo, R. Perez, P. Mutombo, P. Jelinek and S. Morita
    • 学会等名
      Forefront of Molecular Dynamics at Surfaces and Interfaces
    • 国際学会
  • [学会発表] AFM/STM-induced Interacting Si atom switch2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yamazaki, K. Maeda, Y. Sugimoto, M. Abe, P. Pou, L. Rodrigo, R. Perez, P. Mutombo, P. Jelinek and S. Morita
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
    • 国際学会
  • [学会発表] Atom switch and atom-scale transport using scanning probe microscopy2017

    • 著者名/発表者名
      Shiro Yamazaki
    • 学会等名
      Shanghai Jiaotong University
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Even-odd-parity and electronic structure of Bi(110) ultra-thin films2017

    • 著者名/発表者名
      K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
    • 国際学会
  • [学会発表] Electron doping induced control of Metal-Insulator transition on Si(111)4x1-In surface2017

    • 著者名/発表者名
      T.Ogino, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
    • 国際学会
  • [学会発表] Electronic structure of Bi(110) ultra-thin films grown on Si(111)√3×√3-B surfaces2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimokawa, T. Fujiwara, K. Nagase, S. Yamazaki, Y. Watanabe, M. Nakatake, K. Mase, K. Takahashi, K. Nakatsuji, H. Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
    • 国際学会
  • [学会発表] Interaction of Image-Potential States with Quantum-Well State in Ultra-thin Ag(111) films on Si(111)√3√x3-B substrate2017

    • 著者名/発表者名
      K. Sugawara, K. Nagase, S. Yamazaki, K. Nakatsuji, H. Hirayama
    • 学会等名
      The 8th International Symposium on Surface Science (ISSS-8)
    • 国際学会
  • [学会発表] Interacting Si atom switches induced by AFM and STM2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yamazaki, K. Maeda, Y. Sugimoto, M. Abe, P. Pou, L. Rodrigo, R. Perez, P. Mutombo, P. Jelinek and S. Morita
    • 学会等名
      Non-Contact Atomic Force Microscopy 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] 低温蒸着によるBi超薄膜の構造と電子状態2017

    • 著者名/発表者名
      長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2017年秋季大会
  • [学会発表] アンモニアボラン分子蒸着による銅表面上での六方晶窒化ホウ素の合成2017

    • 著者名/発表者名
      山上剛史、高木優香、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2017年秋季大会
  • [学会発表] Si(111)√3x√3-B表面上に成長した数層Bi(110)薄膜の電子状態2017

    • 著者名/発表者名
      下川裕理、藤原翼、長瀬謙太郎、山崎詩郎、渡辺義夫、仲武昌史、間瀬一彦、高橋和敏、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2017年秋季大会
  • [学会発表] キャリアドーピングによるSi(111)4xi-In表面の金属―絶縁体転移の制御2017

    • 著者名/発表者名
      荻野嵩大、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2017年秋季大会
  • [学会発表] グラファイト表面上のモアレ構造部分におけるdz/dVスペクトル測定2017

    • 著者名/発表者名
      石綿慈、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会2017年秋季大会
  • [学会発表] Bi(110)超薄膜の膜厚偶奇性と電子状態2017

    • 著者名/発表者名
      長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      第37回表面科学学術講演会
  • [学会発表] Ag(111)超薄膜中の量子井戸準位と真空中の鏡像準位におけるavoided crossingの測定2017

    • 著者名/発表者名
      菅原喜周、長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      第37回表面科学学術講演会
  • [学会発表] Si(111)4x1-In表面における電子ドーピングによる金属―絶縁体転移の操作2017

    • 著者名/発表者名
      荻野嵩大、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      第37回表面科学学術講演会
  • [学会発表] Si(111)√3×√3-B表面上に形成されるBi(110)超薄膜の電子状態(II)2017

    • 著者名/発表者名
      長瀬謙太郎, 渡辺成栄, 山崎詩郎, 合田義弘, 中辻寛, 平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会第72回年次大会
  • [学会発表] Si(111)√3×√3-B 表面上のBi(110)超薄膜の成長と電子状態2017

    • 著者名/発表者名
      藤原翼, 下川裕理, 長瀬謙太郎, 山崎詩郎, 間瀬一彦, 渡辺義夫, 仲武昌史, 中辻寛, 平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会第72回年次大会
  • [学会発表] Si(111)√3×√3-B 表面上Ag(111)超薄膜のImage Potential Stateの測定2017

    • 著者名/発表者名
      菅原喜周、長瀬謙太郎、山崎詩郎、中辻寛、平山博之
    • 学会等名
      日本物理学会第72回年次大会
  • [学会発表] 隣接する Si4原子スイッチの相互作用2017

    • 著者名/発表者名
      山崎詩郎, 前田圭亮, 杉本宜昭, 阿部真之, P. Pou, L. Rodrigo, R. Perez, P. Mutombo, P. Jelinek, 森田清三
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] 走査型プローブ顕微鏡を応用した原子スケールの電気伝導と原子スイッチ2017

    • 著者名/発表者名
      山崎詩郎
    • 学会等名
      横浜国立大学セミナー招待講演
    • 招待講演
  • [学会発表] Interacting Si atom switches induced by force and current2017

    • 著者名/発表者名
      S. Yamazaki, K. Maeda, Y. Sugimoto, M. Abe, P. Pou, L. Rodrigo, R. Perez, P. Mutombo, P. Jelinek and S. Morita
    • 学会等名
      24th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
    • 国際学会

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公開日: 2018-12-17   更新日: 2022-02-22  

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