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トポロジカル効果の光版「トポロジカルフォトニック効果」を，半導体ナノコラムを用いて，実験的に確認することを目的とした．
前半では，ナノコラムの配列ゆらぎの影響を調べ，ゆらぎが大きくなると，フォトニックレーザーからランダムレーザーに移行していく様子が確認された．ただ，トポロジカル効果が出現する配置では，多少のゆらぎは問題なく，トポロジカル的保護が効いていることを証明した．後半では，トポロジカル伝搬の実験を目指したが，実験室の改修工事と重なり，十分な研究成果をあげることはできなかった．その代わり， InGaNナノコラムの局在状態からの発光について詳細に調べ，トポロジカルレーザーの基盤作りを行った．
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