| 研究課題/領域番号 |
17K19065
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| 研究種目 |
挑戦的研究(萌芽)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
応用物理工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
末光 眞希 東北大学, 電気通信研究所, 名誉教授 (00134057)
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| 研究分担者 |
吹留 博一 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (10342841)
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| 研究期間 (年度) |
2017-06-30 – 2019-03-31
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| キーワード | グラフェン / エピタキシャルグラフェン / 炭化ケイ素 / マイクロ波加熱 / 界面層 |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンは次世代高速デバイス材料として期待が高まるが、グラフェンとこれを担持する基板との間の強い相互作用を除去する技術の未確立が、その実用化を妨げてきた。本研究は最も有望なグラフェン材料であるSiC結晶Si面上エピタキシャルグラフェン（EG）を取り上げ、EGとSiC基板との間に存在する界面層の簡便除去法の確立に取り組んだ。SiCとグラフェンの熱膨張係数の符号の違いを利用したマイクロ波基板加熱急冷（MWA）処理を開発し、その界面層除去効果を評価したところ、従来法の十分の一の時間で界面層を除去することに成功した。
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| 自由記述の分野 |
半導体表面工学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
すぐれた物性を有するグラフェンも、基板との相互作用によってその性能をデバイス上で発揮できずにいた。本研究の成果は、グラフェンと基板の相互作用を机上の電子レンジで除去できるという画期的なものである。まだ大気圧下での酸化条件での検証に留まっているが、今後雰囲気制御を行うことによって更なる発展が見込める新技術である。
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