有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤエレクトロニクスの創成

2008 年度 自己評価報告書

• 研究課題/領域番号: 18002003
• 研究種目: 特別推進研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系; 数物系科学
• 研究機関: 北海道大学
• 研究代表者: 福井 孝志 北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授 (30240641)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2010
• キーワード: ナノワイヤ / 化合物半導体 / 結晶成長 / 1次元物性 / 磁性体

研究概要

有機金属気相選択成長法を用いて半導体ナノワイヤの形成技術を確立し、その成長機構、結晶構造の解明を行いつつ、ナノワイヤの電子物性・光物性・磁性に関する基礎特性を明らかにしナノワイヤを用いたトランジスタや光素子を試作することでナノワイヤのエレクトロニクス応用への可能性を探索する。具体的には、以下4つの分担研究課題を設けそれぞれの目標を達成する。
(1)結晶成長・結晶工学
ナノワイヤ成長機構、結晶構造相転移の解明
(2)光物性・光デバイス
光学物性把握と光素子への応用展開
(3)電子物性・電子デバイス
1次元的電気伝導の評価、トランジスタ試作
(4)新材料系ナノワイヤ
強磁性材料によるヘテロ接合ナノ構造形成

研究成果

• [雑誌論文] Single GaAs/GaAsP coaxial core-shell nanowaire lasers (2009)
  • 著者名/発表者名: B. Hua, J. Motohisa, Y. Kobayashi, S. Hara and T. Fukui
  • 雑誌名: Nano Letters vol. 9 ページ: 112-116
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of Core-Shell InP Nanowires for Photovoltaic Application by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: H. Goto, K. Nozaki, K. Tomioka, S. Hara, K. Hiruma, J. Motohisa and T. Fukui
  • 雑誌名: Applied Physics Express vol. 2 ページ: 035004-1-035004-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical Characterizations of InGaAs Nanowire-Top-Gate Field-Effect Transistors by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: J. Noborisaka, T. Sato, J. Motohisa, S. Hara, K. Tomioka and T. Fukui
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics vol. 46 ページ: 7562-7568
  • 査読あり
• [学会発表] Growth of III-V Semiconductor Nanowires (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Fukui, S. Hara and J. Motohisa
  • 学会等名: The 29th International Conference on the Physics of Semiconductors
  • 発表場所: Rio de Janeiro, Brazil
  • 年月日: 20080727-0801
• [備考]
  • URL: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp
• [産業財産権] 半導体発光素子アレー、およびその製造方法 (2008)
  • 発明者名: 比留間 健之、原 真二郎、本久 順一、福井 孝志
  • 権利者名: 北海道大学
  • 産業財産権番号: 特許権, PCT/JP2008/002956
  • 出願年月日: 2008-10-17