| 研究概要 |
初年度は超高密度SNDMプローブメモリ実現のための学理(ナノドメインマニピュレーション)の為の研究を開始し以下のような成果を得た
(1)サブナノドメインマニピュレーション専用SNDMの開始
1ナノメートル以下の精度でピンポイントに媒体の特定部を狙いドメインマニピュレーションを正確に行うために,サブナノ領域で十分な位置決め精度があるクローズドループタイプのスキャナを持つSNDM装置を開発を開始し,位置補正無しで最高0.18nm/分のドリフトに対する基本性能を持ち,マーク検出によるドリフト補正機能を作動させると,有意な位置ずれは検出されなかった.
(2)定比組成LiTaO3単結晶媒体におけるドメインピンニング技術の開発の開始
定比組成LiTaO3単結晶を用いた記録媒体の研究開発を開始し,ナノドメインドットの断面計測によりH18年度はアルゴンイオン照射による表面ダメージ層(ピンニング層として期待できる)の厚さを明らかにした.
(3)薄片化単結晶媒体の大面積化の開始
コンピュータ制御され厚さの分布を補正しながら薄片化できるドライエッチング法を適用して大面積媒体の作製を行った.また並行して大口径のドライエッチング装置を開発した.
(4)ナノドメインの生成と評価の開始
微細加工と分極処理によりトラッキング用ナノドメインストライプパターンの作製を試み成功した.また長期安定性に関して大きな学術的成果を得た.
(5)超高密度記録媒体用強誘電体薄膜の研究開発
LiTaO_3,LiNbO_3系とPZT系薄膜について検討中し,PZT系では超高速再生が可能な証拠を得た.
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