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2008 年度 自己評価報告書

電荷揺らぎに由来する強相関量子相の研究

研究課題

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研究課題/領域番号 18002008
研究種目

特別推進研究

配分区分補助金
審査区分 理工系
数物系科学
研究機関新潟大学

研究代表者

後藤 輝孝  新潟大学, 自然科学系, 教授 (60134053)

研究期間 (年度) 2006 – 2010
キーワード電気四極子 / 超音波 / 強相関量子相 / 希土類化合物 / カゴ状化合物 / ラットリング / シリコン / 原子空孔
研究概要

これまでの強相関物理学では,帯磁率や中性子散乱などの磁気計測を用いた,電子スピン間の相互作用に由来する磁気秩序の研究や,スピン揺らぎと伝導電子の結合による近藤効果などの研究が,主要なテーマであった。本研究では,電荷揺らぎに由来する新しい強相関量子相の研究を目的としている。局在電子,オフセンター振動,原子空孔の電荷揺らぎは明確な対称性を備え周囲の格子歪みと結合するので,後藤らが開発してきた超音波計測を用いることで電荷揺らぎを直接観測することが可能である。本研究では,極低温での超音波計測を駆使し,局在4f電子,カゴ状化合物でのオフセンター振動,シリコン結晶中での原子空孔などの電荷揺らぎに由来する強相関量子相の研究を推進する。

  • 研究成果

    (7件)

すべて 2009 2008 2007 2006 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (2件) 備考 (2件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Quadrupole Ordering in Clathrate Compound Ce_3Pd_<20>Si_62009

    • 著者名/発表者名
      T. Goto, T. Watanabe, S. Tsuduku, H. Kobayashi, Y. Nemoto, T. Yanagisawa, M. Akatsu, G. Ano, O. Suzuki, N. Takeda, A. Donni, H. Kitazawa
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn. 78

      ページ: 024716 1-9

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Observation of Low-Temperature Elastic Softening due to Vacancy in Crystalline Silicon2006

    • 著者名/発表者名
      T. Goto, H. Y. Kaneta, Y. Saito, Y. Nemoto, K. Sato, K. Kakimoto, S. Nakamura
    • 雑誌名

      J. Phys. Soc. Jpn. 75

      ページ: 044602 1-6

    • 査読あり
  • [学会発表] Vacancies in as-grown CZ silicon crystals observed by low-temperature ultrasonic measurements2007

    • 著者名/発表者名
      H. Y-Kaneta, T. Goto, Y. Nemoto, K. Sato, M. Hikin, Y. Saito, S. Nakamura
    • 学会等名
      DRIP XII (12th International Conference on Defects- Recognition, Imagingand Physics in Semiconductors)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      20070900
  • [学会発表] Direct observation of vacancy in silicon using sub-Kelvin ultrasonic measurements2006

    • 著者名/発表者名
      INVITED T. Goto, H. Y-Kaneta, Y. Saito, Y. Nemoto, K. Sato, K. Kakimoto, S. Nakamura
    • 学会等名
      Advanced Silicon for the 21st Century (European Materials Research Society 2006) Nice
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      20060500-0600
  • [備考] 「シリコン原子レベルで評価」,日本経済新聞2006年4月21日,15 面.

  • [備考] シリコンウエハー極限微細領域で覇権原子空孔濃度測定上「新潟大が技術・装置開発経産・文科省,実用化後押し」下「完全結晶ウエハーとデバイス歩留まり,画期的に向上」化学工業日報2009年3月16,17日. 1面

  • [産業財産権] シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置,その方法,シリコンウェーハの製造方法,及び薄膜振動子2008

    • 発明者名
      後藤輝孝, 根本祐一, 金田寛
    • 権利者名
      国立大学法人新潟大学
    • 産業財産権番号
      特願2008-93276, PCT/JP2008/061987(PCT)
    • 出願年月日
      2008-03-31

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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