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半導体劈開表面に形成された2次元電子系の面内伝導の測定については、InAs劈開表面に対してのみ我々のグループの成功例があったが、本年度、InSb劈開表面においても2次元電子系を誘起して整数量子ホール効果の測定に成功した。InAs劈開表面に対する以前の測定では10テスラ以上が必要だったのに対して、銀を蒸着したInSb劈開表面では、2テスラでホール抵抗の量子化と対角抵抗の消失が観測された。今後、走査プローブ顕微鏡を用いてエッジチャネル伝導の測定などに研究を拡張することを見据えると、低磁場おける量子ホール効果の発見は、実験技術上の制約を大きく引き下げることにつながる。
劈開表面に2次元電子を誘起するための表面ドナーの蒸着は、通常、試料が液体ヘリウム温度にあるときに行っている。したがって、蒸着後、試料の温度を上昇させることによって、表面ドナーの吸着状態が変化することが予想された。実際、銀を蒸着したInSb劈開表面において、比較的低温における熱処理によって、表面電子濃度や移動度が変化することが明らかになった。さらに温度を上げると2次元伝導は消失した。同様の現象は、セシウムを吸着した劈開表面においても観測された。
InAs劈開表面に鉄を蒸着して誘起した2次元電子系に対して、面内磁場に対する大きな正の磁気抵抗効果を測定した。シュブニコフドハース振動の角度依存性から、2次元電子系自身のスピン偏極は小さく、磁気抵抗効果の直接の原因でないことがわかった。吸着原子と2次元電子スピンとの相互作用の可能性が示唆される。
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