ナノ機能化ゲルマニウム系チャネル

2009 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 18063005
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 高木 信一 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30372402)
• 研究分担者: 菅原 聡 東京工業大学, 理工学研究科附属像情報工学研究施設, 准教授 (40282842)
• 連携研究者: 竹中 充 東京大学, 大学院・工学系研究科, 准教授 (20451792)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2009
• キーワード: ゲルマニウム / MOSFET / GOI / 移動度 / 面方位 / スピン / 強磁性

研究概要

高性能Ge素子実現のため、(110)面GOI構造を実現し、高移動度pMOSFETを実証した。また、熱酸化膜GeO2/Ge MOS界面の形成と評価を行い、低界面準位MOS界面であることを実証するとともに、この界面を用いて、高電子移動度・正孔移動度のMOSFETを実現した。また、リーク電流低減方法として、原子状水素アニールの有効性を実証した。
更に、フルホイスラー合金を用いたGeチャネルスピンMOSFETのためのハーフメタル・ソース/ドレイン技術の開発を行い、エピタキシャルGe/超薄膜SOI/埋め込み酸化膜/Si基板上の急速熱アニール法による形成法を提案し、規則度の高いCo2FeGeの形成に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] 界面制御層を用いた高性能Ge MOSトランジスタ (2009)
  • 著者名/発表者名: 高木信一, 山本豊二, 田岡紀之, 池田圭司
  • 雑誌名: 応用物理 vol.78,no.1 ページ: 37-42
• [雑誌論文] スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開 (2009)
  • 著者名/発表者名: 菅原聡
  • 雑誌名: 応用物理 vol.78,no.3
• [雑誌論文] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Morii, S. Dissanayake, S. Tanabe, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara, S. Takagi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. vol.48,no.4 ページ: 04C050
• [雑誌論文] Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, N. Taoka, M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. vol.19,no.2 ページ: 67-85
• [雑誌論文] Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, M. Sugiyama, T. Yasuda, M. Takenaka
  • 雑誌名: ECS Trans. vol.19,no.5 ページ: 9-20
• [雑誌論文] Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge metal-oxide-semiconductor Structures Fabricated by Thermal Oxidation (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Sasada, Y. Nakakita, M. Takenaka, S. Takagi
  • 雑誌名: J. Appl. Phys. vol.106 ページ: 073716
• [雑誌論文] Carrier-transport-enhanced channel CMOS for improved power consumption and performance (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, E. Toyoda, S. Dissanayake, M. Shichijo, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka, N. Sugiyama
  • 雑誌名: IEEE Trans. Electron Devices Vol.55,No.1 ページ: 21-39
• [雑誌論文] Evidence of low interface trap density in GeO2/Ge Metal-Oxide- Semiconductor structures fabricated by thermal oxidation (2008)
  • 著者名/発表者名: H. Matsubara, T. Sasada, M. Takenaka, S. Takagi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. Vol.93,Issue.3 ページ: 032104
• [雑誌論文] Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane, S. Sugahara
  • 雑誌名: ECS Transactions Vol.16 ページ: 945-952
• [雑誌論文] (110) Ultra-thin GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 雑誌名: Thin Solid Films Vol.517,Issue1 ページ: 178-180
• [雑誌論文] Ultrathin Ge-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs Fabricated By Low Temperature Molecular Beam Epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara, S. Takagi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. vol.46,no.4B ページ: 2117-2121
• [雑誌論文] Mobility- Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, S. Nakaharai, T. Numata, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, S. Dissanayake, M. Tekenaka, S. Sugahara, N. Sugiyama
  • 雑誌名: ECS Trans. Vol.11,No.6 ページ: 61-74
• [雑誌論文] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara, N. Sugiyama
  • 雑誌名: Microelectronic Engineering vol.84,Issue9-10 ページ: 2314-2319
• [学会発表] High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping (2009)
  • 著者名/発表者名: K. Morii, T. Iwasaki, R. Nakane, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: International Electron Device Meeting
  • 発表場所: Baltimore, USA
  • 年月日: 20091207-20091209
• [学会発表] Impact of plasma nitridation of thermally-grown GeO2/Ge MIS structures on the GeO2 film and interface properties (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: 40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
  • 発表場所: Washington D.C., USA
  • 年月日: 20091203-20091205
• [学会発表] New channel material MOSFETs on Si platform(invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists
  • 発表場所: Tokyo Institute of Technology, Japan
  • 年月日: 20091013-20091014
• [学会発表] Spin-functional MOSFETs (invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Sugahara
  • 学会等名: International Symposium on Silicon Nano Devices in 2030: Prospects by World's Leading Scientists
  • 発表場所: Tokyo Institute of Technology, Japan
  • 年月日: 20091013-20091014
• [学会発表] High Performance Ge MOS Device Technologies (invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: 1st International Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SiNEP-09)
  • 発表場所: Vigo, Spain
  • 年月日: 20090920-20090923
• [学会発表] High Mobility Channel CMOS Technologies for Realizing High Performance LSI's (invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: 2009 Custom Integrated Circuits Conference (CICC)
  • 発表場所: San Jose, California
  • 年月日: 20090913-20090916
• [学会発表] Spin-Transistor Electronics with Spin-MOSFETs (invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: Satoshi Sugahara
  • 学会等名: Symposium: Integration of Metallic and Semiconductor Systems in Spin Electronics, The 32nd Annual Conference on Magnetics in Japan
  • 発表場所: Tagajo, Japan
  • 年月日: 20090912-20080915
• [学会発表] スピントランジスタによる新しいエレクトロニクスの展開(invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: 菅原聡
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
  • 発表場所: 大岡山, 東京
  • 年月日: 20090716-20090717
• [学会発表] Gas phase doping of arsenic into germanium by using MOVPE system for source/drain formation of high performance Ge nMOSFETs (2009)
  • 著者名/発表者名: M. Takenaka, M. Sugiyama, Y. Nakano, S. Takagi
  • 学会等名: Symposium I: Silicon and Germanium issues for future CMOS devices, E-MRS 2009
  • 発表場所: Strasbourg (France)
  • 年月日: 20090608-20090612
• [学会発表] Interfacial Control and Electrical Properties of Ge MOS structures (invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, N. Taoka, M. Takenaka
  • 学会等名: 10th International Symposium on Silicon Nitride, Silicon Dioxide, and Alternate Emerging Dielectrics, 215 th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 20090524-20090529
• [学会発表] Ge/III-V Channel Engineering for future CMOS (invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, M. Sugiyama, T. Yasuda, M. Takenaka
  • 学会等名: 1st International Symposium on Graphene and Emerging Materials for Post-CMOS Applications, 215 th Meeting of The Electrochemical Society
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 20090524-20090529
• [学会発表] SOI-Based Spin- Transistor Technologies (invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Sugahara, Y. Takamura
  • 学会等名: 215th ECS Meeting
  • 発表場所: San Francisco, USA
  • 年月日: 20090524-20090529
• [学会発表] High Performance (110)-oriented GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: SSDM
  • 年月日: 20090000
• [学会発表] スピン機能MOSFETとその集積回路応用(invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: 菅原聡
  • 学会等名: 日本磁気学会第168回研究会第26回スピンエレクトロニクス専門研究会
  • 発表場所: 仙台, 宮城
  • 年月日: 2009-11-02
• [学会発表] Ge/III-V Channel CMOS Technologies on Si platform (invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: First Korea-Japan Nano Forum, NANO KOREA 2009
  • 年月日: 2009-08-28
• [学会発表] スピン機能MOSFETによる新しいエレクトロニクスの展開(invited) (2009)
  • 著者名/発表者名: 菅原聡
  • 学会等名: 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第111回研究集会
  • 発表場所: 大岡山, 東京
  • 年月日: 2009-03-16
• [学会発表] Interface-controlled Self-Align Source/Drain Ge pMOSFETs Using Thermally-Oxidized GeO2 Interfacial Layers (2008)
  • 著者名/発表者名: Yosuke Nakakita, Ryosho Nakane, Takashi Sasada, Hiroshi Matsubara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: International Electron Device Meeting
  • 発表場所: San Fracisco, USA
  • 年月日: 20081215-20081217
• [学会発表] Surface Orientation Dependence of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation (2008)
  • 著者名/発表者名: Takashi Sasada, Yosuke Nakakita, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
  • 学会等名: 39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
  • 発表場所: San Diego, USA
  • 年月日: 20081211-20081213
• [学会発表] Formation of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloy Thin Films Using SOI and GOI Substrates for the Half-Metallic Source and Drain of Spin Transistors (2008)
  • 著者名/発表者名: Yota Takamura, Yohei Nagahama, Akira Nishijima, R. Nakane, S. Sugahara
  • 学会等名: Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science (PRiME2008)
  • 発表場所: Honolulu, USA
  • 年月日: 20081012-20081017
• [学会発表] Improvement of Interface Properties of GeO2/Ge MOS Structures Fabricated by Thermal Oxidation (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Sasada, H. Matsubara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Tsukuba, Japan
  • 年月日: 20080923-20080926
• [学会発表] Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical MOS Interfaces by using Metal Source/Drain GOI MOSFETs (2008)
  • 著者名/発表者名: Kiyohito Morii, Sanjeewa Dissanayake, Satoshi Tanabe, Ryosho Nakane, Mitsuru Takenaka, Satoshi Sugahara, Shinichi Takagi
  • 学会等名: 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials
  • 発表場所: Tsukuba, Japan
  • 年月日: 20080923-20080926
• [学会発表] Understanding and Engineering of Carrier Transport in Advanced MOS Channels (plenary) (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: 2008 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices
  • 発表場所: Hakone, Japan
  • 年月日: 20080909-20080911
• [学会発表] Electrical Characteristics of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method (2008)
  • 著者名/発表者名: Sanjeewa Dissanayake, Yusuke Shuto, Satoshi Sugahara, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi
  • 学会等名: 2008年秋季第69回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 於中部大学
  • 年月日: 20080902-20080905
• [学会発表] 新チャネル材料を使った高電流駆動力CMOSデバイス技術(招待講演) (2008)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 学会等名: 第72回半導体集積回路技術シンポジウム
  • 発表場所: 於東京農工大学
  • 年月日: 20080700
• [学会発表] [チュートリアル講演]高性能CMOSのための高移動度チャネル技術の現状と展望 (2008)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 学会等名: 電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
  • 発表場所: 於東京大学
  • 年月日: 20080600
• [学会発表] 先端CMOSのためのデバイス性能向上技術(招待講演) (2008)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 学会等名: SEMI Forum Japan 2008
  • 発表場所: 於大阪国際会議場
  • 年月日: 20080600
• [学会発表] Advanced Nano CMOS Platform using Carrier-Transport-Enhanced Channels (invited) (2008)
  • 著者名/発表者名: Shinichi Takagi
  • 学会等名: 2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications
  • 発表場所: Hsinchu, Taiwan
  • 年月日: 20080421-20080423
• [学会発表] Fabrication Technique of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloys for Half-metallic Source/Drain Spin MOSFETs (2008)
  • 著者名/発表者名: Yota Takamura, Akira Nishijima, Yohei Nagahama, Ryosho Nakane, Satoshi Sugahara
  • 学会等名: 4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20080414-20080417
• [学会発表] スピンMOSFETとその高機能ロジックへの応用 (2008)
  • 著者名/発表者名: 菅原聡
  • 学会等名: STRJワークショップ2007
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 20080306-20080307
• [学会発表] RTAを用いて作製したフルホイスラー合金Co2FeSi、Co2FeGeの構造 (2008)
  • 著者名/発表者名: 高村陽太, 長浜陽平, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡
  • 学会等名: 第55回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 於日本大学
  • 年月日: 20080300
• [学会発表] Devices for high performance CMOS (invited) (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: Workshop on Germanium and III-V MOS Technology, 38th European Solid-State Device Research Conference
  • 発表場所: Edinburgh, UK
  • 年月日: 2008-09-19
• [学会発表] High mobility channel MOSFET (invited) (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: ESSDERC Tutorials "T1: CMOS at the bleeding edge", 38th European Solid-State Device Research Conference
  • 発表場所: Edinburgh, UK
  • 年月日: 2008-09-15
• [学会発表] スピン機能MOSFETとその高機能ロジックへの展開-電荷とスピンの融合による新しい高性能・高機能集積回路技術- (2008)
  • 著者名/発表者名: 菅原聡
  • 学会等名: JST Innovation Bridge
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2008-03-10
• [学会発表] Rapid thermal annealingを用いたフルホイスラー合金の作製と評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 高村陽太, 西島輝, 長浜陽平, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡
  • 学会等名: 第12回「半導体スピン工学の基礎と応用」研究会
  • 発表場所: 吹田
  • 年月日: 20071220-20071221
• [学会発表] Examination of Additive Mobility Enhancements for Uniaxial Stress Combined with Biaxially Strained Si, Biaxially Strained SiGe and Ge Channel MOSFETs (2007)
  • 著者名/発表者名: O. Weber, T. Irisawa, T. Numata, M. Harada, N. Taoka, Y. Yamashita, T. Yamamoto, N. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: International Electron Device Meeting
  • 発表場所: Washington DC., USA
  • 年月日: 20071200
• [学会発表] High Performance CMOS Device Technologies using New Channel Materials (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: International Workshop on Advanced Silicon-based Nano-devices
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20071100
• [学会発表] Effect of Annealing on (100) and (110) Oriented pseudo-GOI pMOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Dissanayake, S. Tanabe, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20071100
• [学会発表] Superior MOS Interface Properties of GeO2/Ge Structures Fabricated by Ozone Oxidation (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, H. Matsubara, M. Nishikawa, T. Sasada, R. Nakane, S. Sugahara, M. Takenaka
  • 学会等名: 5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V)
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 20071100
• [学会発表] Effects of Atomic Hydrogen Annealing on Reduction of Leakage Current in Ultrathin Si/Ge/Si-On-Insulator Metal Source/Drain p-Channel MOSFETs (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, T. Uehara, S. Tanabe, H. Matsubara, R. Nakane, M. Takenaka, S. Sugahara
  • 学会等名: 34th International Symposium on Compound Semiconductors
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 20071000
• [学会発表] Evaluation of SiO2/GeO2/Ge MIS Interface Properties by Low Temperature Conductance Method (2007)
  • 著者名/発表者名: H. Matsubara, H. Kumagai, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: Ext. Abs. SSDM
  • 発表場所: Tsukuba, Japan
  • 年月日: 20070900
• [学会発表] (110) surface Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Dissanayake, H. Kumagai, Y. Shuto, S. Sugahara, S. Takagi
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 於北海道工業大学
  • 年月日: 20070900
• [学会発表] Effects of Annealing on (110) GOI Layers Fabricated by Ge Condensation Method (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 於北海道工業大学
  • 年月日: 20070900
• [学会発表] Germanium-on-insulator (GOI)基板を用いたホイスラー合金の作製とその評価 (2007)
  • 著者名/発表者名: 高村陽太, 西島輝, 中根了昌, 宗片比呂夫, 菅原聡
  • 学会等名: 第68回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 於北海道工業大学
  • 年月日: 20070900
• [学会発表] Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structure and Application to pMOSFET Devices (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Dissanayake, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: 2nd International Conference on Industrial and Information Systems (ICIIS 2007)
  • 発表場所: Sri Lanka
  • 年月日: 20070800
• [学会発表] Mobility-Enhanced MOS Device Technologies in Nano-CMOS era (plenary talk) (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: Device Research Conference (DRC)
  • 発表場所: South Bend, USA
  • 年月日: 20070600
• [学会発表] Gate Dielectric Formation and MIS Interface Characterization on Ge (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, T. Maeda, N. Taoka, M. Nishizawa, Y. Morita, K. Ikeda, Y. Yamashita, M. Nishikawa, H. Kumagai, R. Nakane, S. Sugahara, N. Sugiyama
  • 学会等名: 15th Insulatring Films on Semiconductors (INFOS2007)
  • 発表場所: Athens, Greece
  • 年月日: 20070600
• [学会発表] (110) Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Method (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Dissanayake, H. Kumagai, T. Uehara, Y. Shuto, S. Sugahara, S. Takagi
  • 学会等名: 5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Marseille, France
  • 年月日: 20070500
• [学会発表] Advanced CMOS technologies using high mobility channels based on column-IV materials (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, T. Irisawa, T. Tezuka, T. Numata, N. Hirashita, K. Usuda, N. Sugiyama
  • 学会等名: 5th International Conference on SiGe(C) Epitaxy and Heterostructures
  • 発表場所: Marseille, France
  • 年月日: 20070500
• [学会発表] Mobility-Enhanced CMOS Technology (invited) (2007)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: SEMICON KOREA Semi Technology Symposium (STS) 2007
  • 発表場所: Souel, Korea(invited)
  • 年月日: 20070200
• [学会発表] ナノCMOS時代のデバイス高性能化技術(High Performance Device Technologies in Nano CMOS Era) (2007)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 学会等名: 東京大学21世紀COEプログラム「未来社会を担うエレクトロニクスの展開」最終シンポジウム「豊かな社会を築くセキュアライフ・エレクトロニクス」
  • 発表場所: 東京大学本郷キャンパス・工学部2号館1階213大講堂
  • 年月日: 20070115-20070116
• [学会発表] High Performance CMOS Device Technologies in Nano CMOS Era (invited) (2006)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi
  • 学会等名: IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)
  • 発表場所: Gyeongju, Korea
  • 年月日: 20061022-20061025
• [学会発表] Mobility-Enhanced Device Technologies Using SiGe/Ge MOS Channels (invited) (2006)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, T. Tezuka, T. Irisawa, S. Nakaharai, N. Hirashita, Y. Moriyama, K. Usuda, K. Ikeda, N. Taoka, Y. Yamashita, M. Harada, T. Maeda, T. Yamamoto, N. Sugiyama
  • 学会等名: 2nd Int. Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
  • 年月日: 20061002-20061003
• [学会発表] Fabrication of (110) GOI Layers by Ge Condensation of SiGe/ (110) SOI Structures (2006)
  • 著者名/発表者名: Sanjeewa Dissanayake, 熊谷寛, 菅原聡, 高木信一
  • 学会等名: 2006秋応物第67回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 於立命館大学
  • 年月日: 20060800
• [学会発表] Ultra-thin Ge-on-Insulator (GOI) Metal S/D p-channel MOSFETs fabricated by low temperature MBE growth (2006)
  • 著者名/発表者名: T. Uehara, H. Matsubara, S. Sugahara, S. Takagi
  • 学会等名: Ext. Abs. SSDM
  • 年月日: 20060000
• [学会発表] Fabrication of SiO2/Ge MIS structures by plasma oxidation of ultrathin Si films grown on Ge (2006)
  • 著者名/発表者名: H. Kumagai, M. Shichijo, H. Ishikawa, T. Hoshii, S. Sugahara, Y. Uchida, S. Takagi
  • 学会等名: Ext. Abs. SSDM
  • 年月日: 20060000
• [学会発表] Prospects and Critical Issues on Ge MOS Technologies (invited) (2006)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, N. Taoka, S. Nakaharai, K. Ikeda, T. Tezuka, Y. Yamashita, Y. Moriyama, T. Maeda, N. Sugiyama
  • 学会等名: SiGe & Ge: Materials, Processing, and Devices Symposium, the 2006 Joint International Electrochemical Society Meeting
  • 発表場所: Moon Palace Resort, Cancun, Mexico(invited)
  • 年月日: 2006-10-29
• [学会発表] 高性能LSIのための新構造CMOSデバイス技術 (2006)
  • 著者名/発表者名: 高木信一
  • 学会等名: ISTF(Industry Strategy and Technology Forum)2006
  • 発表場所: パシフィコ横浜
  • 年月日: 2006-10-11
• [学会発表] Metal Source/Drain Ge MOSFET Technologies (invited) (2006)
  • 著者名/発表者名: S. Takagi, K. Ikeda, T. Maeda, S. Nakaharai, N. Sugiyama, T. Uehara, S. Sugahara
  • 学会等名: Workshop on Gate Stack and Contact Engineering for sub-30nm FETs
  • 発表場所: Monterey Plaza Hotel, Monterey CA, USA
  • 年月日: 2006-09-05
• [学会発表] Electrical Properties of (110)-oriented Ultra-thin GOI p-MOSFETs Fabricated by Ge Condensation Technique
  • 著者名/発表者名: S. Dissanayake, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Takenaka, S. Takagi
  • 学会等名: 2008年秋季応用物理学会