研究課題
特定領域研究
高性能Ge素子実現のため、(110)面GOI構造を実現し、高移動度pMOSFETを実証した。また、熱酸化膜GeO2/Ge MOS界面の形成と評価を行い、低界面準位MOS界面であることを実証するとともに、この界面を用いて、高電子移動度・正孔移動度のMOSFETを実現した。また、リーク電流低減方法として、原子状水素アニールの有効性を実証した。更に、フルホイスラー合金を用いたGeチャネルスピンMOSFETのためのハーフメタル・ソース/ドレイン技術の開発を行い、エピタキシャルGe/超薄膜SOI/埋め込み酸化膜/Si基板上の急速熱アニール法による形成法を提案し、規則度の高いCo2FeGeの形成に成功した。
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