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2008 年度 実績報告書

ナノ構造誘起物性の制御と新機能シリコンデバイス

研究課題

研究課題/領域番号 18063007
研究機関東京農工大学

研究代表者

越田 信義  東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 (50143631)

研究分担者 白樫 淳一  東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 准教授 (00315657)
GELLOZ Bernard  東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 助教 (40343157)
キーワードナノ構造 / シリコン / 量子サイズ効果 / 表面終端 / 可視発光 / 光集積 / 弾道電子効果 / 超音波放出
研究概要

量子サイズナノ結晶シリコンにおいて生じる可視発光、弾道電子放出、超音波放出について、特性向上とデバイス化の基礎検討を行った。研究項目毎の主な成果を以下に示す。
(1) 発光特性 : 導入した高圧水蒸気アニール(HWA)の条件制御により、PL発光波長を赤色だけでなく青色帯にまで制御した。それぞれの発光特性を温度依存性、励起強度依存性、励起光の偏光メモリ性などの点からくわしく解析し、発光起源の違いを明らかにした。また、表面修飾処理により多層膜DBRミラー装荷光共振器の長期安定性を飛躍的に改善した。さらにナノシリコンダイオードの光導電特性を測定し、バンドギャップワイドニングによる可視域感度を確認した。
(2) 弾道電子放出 : 真空中応用では、並列EB露光への適用を試み、約30nm幅のパターン形成を実現した。また、エミッタを微細アレイ化した素子で超高感度撮像への応用可能性を確認した。また気体中ではXe分子の直接励起・緩和により、電離放電なしで真空紫外光が可能であることを示した。さらに溶液中では、純水、酸性、アルカリ性、生理食塩水に対象を広げ、溶液の種類によらず、電子放出時には素子表面で水素のみが発生し、pHや水素溶存量の制御への利用可能性を明らかにした
(3) 音響機能 : ディジタル駆動方式を導入し、スピーカーとしての広帯域化と高効率化が同時に達成できることを実証した。また同一素子から音と光を放出する機能集積の動作を確認した。さらに、アレイ化素子の位相制御駆動によって、音波の指向性・集束性を変化できることを示した。

  • 研究成果

    (33件)

すべて 2009 2008 その他

すべて 雑誌論文 (14件) (うち査読あり 14件) 学会発表 (16件) 図書 (1件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Stabilized porous silicon optical superlattices with controlled surface passivation2008

    • 著者名/発表者名
      A. Chouket, H. Elhouichet, M. Oueslati, H. Koyama, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett. 93

      ページ: 061113-115

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Sub-30 nm parallel EB lithography using nano-Si planar ballistic electron emitter2008

    • 著者名/発表者名
      A Kojima, H. Ohyi, N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 2053-2057

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Specific spectral features in electron emission from nanocrystalline poly-silicon quasi-ballistic cold cathode detected by an angle-resolved high resolution analyzer2008

    • 著者名/発表者名
      D. Sakai, C. Oshima, T. Ohta, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 1782-1786

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Development of a super-high sensitive image sensor using 640×480 pixel active-matrix high-efficency electrion emission device2008

    • 著者名/発表者名
      N. Negishi, T. Sato, Y. Matsuba, R. Tanaka, T. Nakada, K. Sakemura, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, g. Okazaki, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 711-715

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characteristics of nanosilicon ballistic cold cathode in liquids as an active electrode2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, B. Gelloz, and N Koshida
    • 雑誌名

      J. Vac. Sci. Technol. B 26

      ページ: 716-719

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Acoustic wave manipulation by phased operation of two-dimensionally arrayed nanocrystalline silicon ultrasonic emitters2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sugawara and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 3123-3126

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cavity effect in nanocrystalline porous silicon ballistic lighting device2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Sato and N, Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 2902-2905

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Improved photoconduction effects of nanometer-sized Si dot multilayers2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Hirano, S. Yamazaki, and N. Koshida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 3095-3098

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Polarization memory of blue and red luminescence from nanocrystalline porous silicon treated by high-pressure water vapor annealing2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, H. Koyama and N, Koshida
    • 雑誌名

      Thin Solid Films 517

      ページ: 376-379

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Formation Mechanism of 100 nm-Scale Periodic-Structures in Silicon Using Magnetic-Field-Assisted Anodization2008

    • 著者名/発表者名
      D. Hippo, K. Urakawa, Y. Tsuchiya, H. Mizuta, N. Koshida, and S. Oda
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 7398-7402

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Scratch nanolithography on Si surface using scanning probe microscopy : Influence of scanning parameters on groove size2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ogino, S. Nishimura, and J. Shirakashi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 712-714

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Micrometer-scale local-oxidation lithography using scanning probe microscopy2008

    • 著者名/発表者名
      S. Nishimura, T. Ugino, and J. Shirakashi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 715-717

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Local oxidation of Si surfaces by tapping-mode scanning probe microscopy : Size dependence of oxide wires on dynamic properties of cantilever2008

    • 著者名/発表者名
      S. Nishimura, T. Ogino, Y. Takemura, and J. Shirakashi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 718-720

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Measurement of reaction current during atomic force microscope local oxidation of conductive surfaces capped with insulating layers2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Shimada, T. Yamada, and J. Shirakashi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys. 47

      ページ: 768-770

    • 査読あり
  • [学会発表] ナノシリコン電子源-電子加速機能と応用展開(招待講演)2009

    • 著者名/発表者名
      越田信義N, 太田敢行, B. ジェローズ
    • 学会等名
      第6回真空ナノエレクトロニクスシンポジウム
    • 発表場所
      大阪
    • 年月日
      2009-03-04
  • [学会発表] Development of efficient broadband digital acoustic device based on nanocrystalline silicon ultrasound emitter2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida, A. Asami, and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Electron Device Meeting 2008
    • 発表場所
      San Francisco, USA
    • 年月日
      2008-12-17
  • [学会発表] Direct Excitation of Xenon by Ballistic Electrons Emitted from Nanocrystalline Silicon Planar Cathode and Vacuum-Ultraviolet Light Emission2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai, and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Display Workshop 2008
    • 発表場所
      Niigata
    • 年月日
      2008-12-13
  • [学会発表] Activity of nanocrystalline silicon planar ballistic electron emitter in solutions2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, S. Ogawa, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Fall Meeting Int. Symposium
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2008-12-04
  • [学会発表] Characteristics of thermo-acoustic nanocrystalline porous silicon ultrasound generator as a wide-band tweeter2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, A. Asami and N. Koshida
    • 学会等名
      Mater. Res. Soc. Fall Meeting Int. Symposium
    • 発表場所
      Boston, USA
    • 年月日
      2008-12-04
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic devices based on nanocrystalline silicon (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Electrochemical Society Int. Symposium
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-13
  • [学会発表] Enhanced controllability of periodic silicon nanostructures by magnetic field anodization2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, M. Masunaga, T. Shirasawa, R. Mentek, T. Ohta, and N. Koshida
    • 学会等名
      Electrochemical Society Int. Symposium
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-13
  • [学会発表] Stabilization of porous silicon free-standing coupled optical microcavities by surface chemical modification2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, K. Murata, T. Ohta, M. Ghulinyan, L. Pavesi, D. J. Lockwood. and N. Koshida
    • 学会等名
      Electrochemical Society Int. Symposium
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2008-10-13
  • [学会発表] Optoelectronic effect of high-pressure water vapor annealing for nanocrystalline silicon films prepared by ion implantation2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, A. Takeuchi, and N. Koshida
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Group IV Photonics
    • 発表場所
      Sorento, Italy
    • 年月日
      2008-09-28
  • [学会発表] Sound emission from nanocrystalline silicon device under operation of electroluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, T. Shibata and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2008-09-26
  • [学会発表] Specific blue light emission from nanocrystalline porous Si, treated by high-pressure water vapor annealing2008

    • 著者名/発表者名
      B. Gelloz, R. Mentek and N. Koshida
    • 学会等名
      Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba
    • 年月日
      2008-09-26
  • [学会発表] Hydrogen generation by operation of nanosilicon ballistic electron emitter in aqueous solutions2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ohta, S. Ogawa, B. Gelloz, and N. Koshida
    • 学会等名
      21th Int. Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2008-07-15
  • [学会発表] Vacuum-ultraviolet light emission from xenon directly excited by ballistic output electrons of nanocrystalline silicon planar cathode, Tech. Digest, 2008, pp. 58-59.2008

    • 著者名/発表者名
      T. Ichihara, T. Hatai and N. Koshida
    • 学会等名
      21th Int. Vacuum Nanoelectronics Conference
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2008-07-14
  • [学会発表] High emission current from an active-matrix HEED with 13.75 mm pixels2008

    • 著者名/発表者名
      T. Nakada, T. Sato, Y. Matsuba,R. Tanaka, K. Sakemura, N. Negishi, Y. Okuda, A. Watanabe, T. Yoshikawa, K. Ogasawara, M. Nanba, K. Tanioka, N. Egami, and N. Koshida
    • 学会等名
      21th Int. Vac. Nanoelectron. Cof.
    • 発表場所
      Wroclaw, Poland
    • 年月日
      2008-07-14
  • [学会発表] Photonic, electronic, and acoustic device applications of nanocrystalline Silicon (Invited).2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. on Optical, Optoelectronic and Photonic Mater. and Applications
    • 発表場所
      Edmonton, Canada
    • 年月日
      2008-07-04
  • [学会発表] Device applications of quantum-sized nanocrystalline silicon2008

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida and B. Gelloz
    • 学会等名
      Int. Conf. On Thin Films and Photonic Materials
    • 発表場所
      Argier, Argeria
    • 年月日
      2008-05-19
  • [図書] Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures2009

    • 著者名/発表者名
      N. Koshida (Ed.)
    • 総ページ数
      348
    • 出版者
      Springer, New York
  • [備考]

    • URL

      http://www.tuat.ac.jp/~koslab/

  • [産業財産権] シリコン系青色発光材料の製造方法及びシリコン系青色発光材料2008

    • 発明者名
      越田信義、B.Gelloz
    • 権利者名
      東京農工大学
    • 産業財産権番号
      特願2008-223583
    • 出願年月日
      2008-09-01

URL: 

公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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